李抒智
,
杨卫桥
,
董永军
,
华伟
,
向卫东
,
梁晓娟
,
钟家松
,
赵寅生
,
吕春燕
材料导报
利用伽玛射线研究了Ce3+:Y3Als O12晶体的辐照色心缺陷,比较了采用提拉法和温梯法生长的Ce3+;Y3Al5O12晶体中产生的不同色心缺陷,并利用吸收光谱、激发发射光谱和退火等方法分析了晶体中235nm和370nm色心吸收带的形成原因,指出晶体中的235nm吸收带由F+色心引起.进一步分析了YAG晶体的辐照,证实了370hm色心的来源,表明370nm吸收带与F-类色心相关.
关键词:
晶体
,
Ce:YAG
,
伽玛射线
,
辐照
,
缺陷
邹军
,
彭观良
,
陈俊华
,
李抒智
,
杨卫桥
,
周国清
,
徐军
,
周圣明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.024
本文采用导向温度梯度法生长出了透明γ-LiAlO2晶体,借助扫描电镜和X射线粉末衍射系统地研究了温度梯度法生长晶体的工艺过程,坩埚中晶体上部为LiAl5O8和LiAlO2多晶体,中部[100]方向自由结晶形成了单一透明的γ-LiAlO2晶体,下部为钼金属颗粒,蓝宝石籽晶被严重污染;坩埚内分成上、中、下三部分是晶体生长过程中熔体组分中Li2O挥发和腐蚀造成的.
关键词:
铝酸锂
,
导向温度梯度法
,
钼
,
氧化锂
邹军
,
彭观良
,
陈俊华
,
钱晓波
,
李抒智
,
杨卫桥
,
周国清
,
徐军
,
周圣明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.010
利用温度梯度法生长出了透明的γ-LiAlO2单晶,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的(001)晶片表面结构的影响.结果表明:1100℃/70h空气和真空中的退火处理使γ-LiAlO2晶片表层变成LiAl5O8多晶,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发,保持了晶格完整性并且提高了晶体质量.
关键词:
温度梯度法
,
退火
,
γ-LiAlO2
,
VTE
彭观良
,
周国清
,
庄漪
,
邹军
,
王银珍
,
李抒智
,
杨卫桥
,
周圣明
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.019
本文描述使用温梯法(TGT)生长(1102)方向的白宝石单晶,应用X射线双晶摇摆曲线(XRC)测定了晶体内部的完整性,再利用KOH熔体腐蚀出样品的r面(1102)上的位错蚀坑,借助扫描电子显微镜(SEM)进行观察,发现r面白宝石的位错腐蚀坑呈等腰三角形,并且有台阶状结构,并分析了位错的成因.
关键词:
温梯法
,
r面白宝石
,
位错
,
化学腐蚀
,
腐蚀坑
,
缺陷
苏良碧
,
董永军
,
杨卫桥
,
周国清
,
周圣明
,
赵广军
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.019
采用导向温度梯度法(TGT)生长CaF2晶体,建立了生长炉内的垂直温度梯度场.研究表明影响晶体质量及光学性能的主要因素包括坩埚材料、温度场、生长程序及原料纯度等.从大量的实验中总结出TGT法生长高质量CaF2晶体的生长条件如下:石墨坩埚;轴向梯度≤2℃/mm;生长降温速率1.5～2.5℃/h;冷却速率≤40℃/h.
关键词:
氟化钙(CaF2)晶体
,
温度梯度法(TGT)
,
位错密度
,
透过率
董永军
,
周国清
,
苏良碧
,
杨卫桥
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.011
用温度梯度法成功生长了直径75mm、完整、透明的氟化钙晶体,对晶体进行了TG-DTA测试分析,确定了其熔点为1413.5℃,并测试了晶体从190nm的紫外波段到40000nm的红外波段的透过率,发现从中紫外波段到红外波段氟化钙晶体的透过率已经能满足各种应用的要求,但在远紫外波段和真空紫外波段(246nm以下)氟化钙晶体的透过率需要进一步提高.
关键词:
氟化钙晶体
,
晶体生长
,
温度梯度法
董永军
,
周国清
,
杨卫桥
,
苏良碧
,
徐军
无机材料学报
解释了氟化钙晶体能被应用在光刻系统和掀起研究热潮的原因,概述了氟化钙晶体的研究和发展现状,指出了目前氟化钙晶体在研究和发展过程中要解决的重要问题和措施,最后对氟化钙晶体在光刻系统中的发展前景作了展望.
关键词:
氟化钙
,
crystal
,
UV
,
lithography
,
semiconductor
,
null
杨卫桥
,
干福熹
,
邓佩珍
,
徐军
,
李抒智
,
张荣
无机材料学报
LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.
关键词:
GaN
,
LiGaO2
,
MOCVD
