杨利
,
张国艳
,
周毅
,
廖怀林
,
黄如
,
张兴
,
王阳元
稀有金属材料与工程
采用电化学腐蚀的方法成功地制备了厚膜p型宏孔多孔硅.氢氟酸和二甲基甲酰胺按体积比1:4组成电化学腐蚀的溶液.通过在不同条件下制备的多组样品,得出了多孔硅生长速度与电流密度以及腐蚀厚度与腐蚀时间的函数关系.通过ESEM对所制样品进行了表面和截面形貌分析,得出30 mA/cm2～50 mA/cm2的阳极电流密度是制备高质量厚膜p型宏孔多孔硅的最佳条件.
关键词:
二甲基甲酰胺
,
多孔硅
,
电化学腐蚀
,
阳极电流密度
杨利
,
周毅
,
张国艳
,
廖怀林
,
黄如
,
张兴
,
王阳元
稀有金属材料与工程
介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术.ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能.采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于CMOS技术的可行性.ESEM对所制样品的表面和截面形貌进行了分析.通过多组实验,得出了多孔硅生长速度与腐蚀电流密度的准线性关系.
关键词:
多孔硅
,
射频集成电感
,
电化学腐蚀
,
后处理工艺
王显明
,
杨利
,
王翠梅
,
薛成山
稀有金属材料与工程
用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析.生成的GaN纳米线平直光滑,其直径为20 nm～90 nm,长可达50 μm;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN,沿[110]方向生长.用此工艺制备GaN纳米线,避免了在制备过程中引入杂质,合成的纳米线纯度较高.
关键词:
氨化
,
Ga2O3薄膜
,
GaN纳米线
,
射频磁控溅射
王显明
,
杨利
,
王翠梅
,
薛成山
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.006
通过氨化射频溅射工艺生长的纳米Ga2O3薄膜, 在石英衬底上反应自组装生成了高质量的GaN纳米线. 用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品的组分、形貌和结构进行了分析. 生成的GaN纳米线平直光滑, 其直径为20～120 nm, 长可达50 μm; 纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN, 沿[110]方向生长. 用此工艺制备GaN纳米线, 简单新颖, 不需要模板或催化剂的辅助作用.
关键词:
纳米Ga2O3薄膜
,
GaN纳米线
,
射频磁控溅射
,
氨化
肖春来
,
杨利
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.01.017
利用全矢量有限差分方法分析了空气纤芯Bragg光纤中模式的色散和泄漏损耗特性,并结合光子带隙图,讨论了其中TE01模和HE11模泄漏损耗的变化趋势.当色散曲线由光子禁带进入光子导带,模式的泄漏损耗将相应地明显增大;此外,当λ1.49μm时,HE11模的截止引起了泄漏损耗的急剧上升.这表明,Bragg光纤中,模式泄漏损耗的增加至少可以归结于两种不同的机制:模式失去光子带隙的约束和模式截止.同时,通过分析发现,其中高阶模的截止条件类似于金属波导;这是Bragg光纤与金属波导特性具有一定相似性的又一例证.
关键词:
纤维与波导光学
,
Bragg光纤
,
全矢量有限差分
,
泄漏损耗
,
光子带隙
邓兰馨
,
杨利
,
钱景仁
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.03.012
利用有限差分法,研究了一种在包层小孔中填充可变折射率材料的新型光子晶体光纤的传输特性,并讨论了其在传感器设计方面的应用前景.分别模拟了包层孔为单圈、两圈、三圈结构下的光纤传输谱,在两圈孔的情况下,找到了合适的工作波长区间,并发现该工作区间的位置对于填充材料的折射率表现得很敏感,且呈近似线性关系.该折射率在1.48～1.8区间内每变化0.01,导波区间位置平均移动24 nm.结论表明,与传统的光波导折射率传感器相比,这种新型光子晶体光纤折射率传感器具有测量范围较大,灵敏度较高的优点.
关键词:
折射率传感器
,
光子晶体光纤
,
光子带隙
