钱敏
,
李海波
,
林丽锋
,
张哲娟
,
刘菁菁
,
杨介信
,
冯涛
,
潘丽坤
,
孙卓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.017
采用GaN基蓝色发光芯片为激发源,结合黄色硅酸盐系列荧光粉封装成大功率白光发光二极管(W-LEDs).利用24颗大功率5W白光发光二极管制作了两种不同连接方式的W-LEDs路灯:2并12串,和4并6串.设计了相应的驱动电路,对这两种不同连接方式的大功率W-LEDs路灯的光电特性及其在照明光源中的应用条件作了深入地研究和对比,测试了它们的伏安特性,发光效率以及功效,结果表明2并12串连接方式的W-LEDs路灯具有更加稳定的伏安特性,更高的照度以及更高的功效.与高压钠灯和荧光灯的特性相比较,W-LEDs路灯作为绿色环保光源灯,具有更高的显色指数,更加环保,节能.
关键词:
荧光粉
,
白光发光二极管
,
伏安特性
,
发光特性
,
功效
吴志明
,
杨燮龙
,
杨介信
,
戴文恺
,
赵振杰
,
俞建国
,
丁永芝
,
丁浩
功能材料
主要介绍纳米微晶材料的巨磁阻抗效应及利用该效应研制的一种新型的磁敏传感器.它以脉冲频率的方式作为输出结果,与传统的磁敏传感器相比,具有高灵敏度、便于数字化测量等优点,在地磁测量、磁航向等方面有良好的应用前景.
关键词:
磁敏传感器
,
巨磁阻抗效应
,
频率测量
李艳楠
,
孙卓
,
陈岳
,
张哲娟
,
王莉莉
,
陈婷
,
陈奕卫
,
杨介信
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.011
以二茂铁作为催化剂,H2为还原气和载气,反应温度为650℃,压强15 kPa时,在一定的催化温度下,调节碳源中噻吩与环已烷的摩尔比,在减压化学气相沉积体系中制备了大量网状碳纳米管粉末.对反应过程中二茂铁的催化温度以及噻吩与环已烷的摩尔比对产物的影响进行了分析与研究,结果表明碳纳米管的产量随催化剂的量的增加而增大,其质量随催化温度的升高而下降;噻吩与环已烷的摩尔比对产物的形貌与质量有着一定的影响.用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱对碳纳米管进行了表征.
关键词:
碳纳米管
,
硫颗粒的影响
,
二茂铁的催化温度
高阳
,
张燕萍
,
王莉莉
,
张哲娟
,
潘立坤
,
陈弈卫
,
孙卓
,
杨介信
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.009
将石墨衬底浸泡于0.5 mol/L Ni(NO3)2溶液中一段时间,之后利用低压化学气相沉积法在不同温度的条件下生长碳纳米管薄膜.研究了碳纳米管的生长温度对其场发射性能的影响.通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管薄膜的表征发现,随着碳纳米管的生长温度的增加,碳纳米管的直径与相应拉曼光谱中的G峰和D峰(ID/IG)的峰强比减小.同样,碳纳米管的G峰的半峰宽随着碳纳米管的生长温度的增加而减小,这表明碳纳米管的石墨化程度的增强.实验中发现,碳纳米管的场发射性能依赖于碳纳米管的生长温度.
关键词:
碳纳米管
,
场发射性能
,
石墨衬底
,
生长温度
,
Ni(NO3)2溶液
王宗篪
,
杨燮龙
,
宫峰飞
,
曾琅
,
陈国
,
杨介信
,
钱思明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.005
测定了不同张应力退火生成的Fe73Cu1Nb1.5V2Si13.5B9纳米微晶带在高频纵向驱动埸下的巨磁阻抗效应.从相位随外磁埸的变化规律中得出,与磁损耗相应的μ"随外磁埸的变化是引起高频纵向驱动巨磁阻抗效应的重要原因.并由相位随外磁埸变化的最小值可以很容易地确定出材料的横向磁各向异性埸Hk的大小,这为测量材料的磁各向异性埸提供了一个新的方法.
关键词:
Fe基纳米晶
,
纵向驱动巨磁阻抗效应
,
相位
,
磁损耗
张哲娟
,
林丽锋
,
高阳
,
杨介信
材料热处理学报
以乙炔为原料气,采用铬一镍复合催化剂,在550~C下,由化学气相沉积法(CVD)制得了直径为20.300nm的多壁碳纳米管(MWNT).经过45min的高能球磨处理后,通过空气氧化法对所获碳纳米管进行提纯,去除了碳纳米管中的无定形碳、碳纳米颗粒等非晶碳成分,提高了碳纳米管的纯度;并研究了提纯温度和场发射特性的关系.用扫描电镜、Raman光谱对其形貌和结构进行了表征.结果表明:碳纳米管在空气中,400～450℃加热10min后,非晶碳成分基本去除,纯度得到提高可以得到优化的场发射特性,如低的阈值电场和高场发射电流等.
关键词:
碳纳米管
,
高能球磨
,
空气氧化
,
场发射性能
张哲娟
,
孙卓
,
张燕萍
,
杨介信
,
冯涛
,
陈奕卫
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.009
以镍金属为催化剂,在600 ℃条件下,采用化学气相沉积法(CVD)制备碳纳米管.将制得的碳纳米管用高能球磨法处理0.5～1 h后,以空气氧化法进行提纯,并研究了氧化温度对碳纳米管形貌和场发射性能的影响.用扫描电镜、Raman光谱分别对300～500 ℃的氧化提纯后的碳纳米管的形貌和结构进行了表征.结果表明:碳纳米管的场发射性能随温度的升高而升高,经400～450 ℃加热10 min后,非晶碳成分减少,碳管纯度得到提高,场发射性能达到最高;当氧化温度继续升高时,碳纳米管的缺陷密度增大,非晶化程度增加,场发射特性变差.因此,通过控制氧化温度可以有效提高碳纳米管的纯度和场发射性能.
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
球磨
,
空气氧化
