束青
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武莉莉
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冯良桓
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王文武
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曹五星
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张静全
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李卫
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黎兵
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150148
采用CdTe和Te双源共蒸发的方法,调控CdTe和Te源的蒸发速率,首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜,并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率–温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外–可见吸收光谱分析表明,不同x组分的CdxTe薄膜,其禁带宽度可在0.99~1.46 eV之间变化,随着x值从0.8减小到0.2,吸收边向长波方向移动,而且透过率也显著下降。XRD结果表明, x值小于0.6时,刚沉积的CdxTe薄膜为非晶相；随着x的值逐渐靠近1,刚沉积的薄膜明显结晶,沿CdTe(111)方向择优生长,退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。CdxTe薄膜的导电类型为p型,其暗电导率随温度的上升而增大,当温度继续升高至临界点时,薄膜暗电导率–温度关系出现反常。这些结果表明, CdxTe薄膜将有望用于CdTe薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。
关键词:
CdxTe薄膜
,
双源共蒸发
,
CdTe太阳电池
