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非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长

赵福川 , 谈惠祖 , 杜立新 , 莫培根

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.02.011

研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶.测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标.

关键词: 垂直凝固(VGF) , 半绝缘GaAs单晶 , 晶体生长

合金FeTi1.2+xwt%LaNi5(x=0,1,2,3,4)储氢性能的研究

向玉双 , 杜立新 , 叶辉 , 黄铁生 , 徐乃欣 , 邬君飞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.017

采用合金化的方法向富钛储氢合金FeTi1.2中添加少量LaNi5以形成四元系合金FeTi1.2+xwt%LaNi5来改善FeTi1.2合金的储氢性能.虽然XRD没有检出合金中有LaNi5相的存在,但是FeTi1.2合金的储氢性能特别是活化性能得到了改善,FeTi1.2+xwt%LaNi5合金还具有较高的储氢量,293K吸氢的FeTi1.2+2wt%LaNi5合金在333K时的放氢量为186.4ml/g,明显超过FeTi1.2合金的172.3ml/g.

关键词: FeTi1.2合金 , 储氢性能 , 活化

垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究

谈惠祖 , 杜立新 , 赵福川

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.017

在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术.讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题.通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶.

关键词: 垂直梯度凝固(VGF) , 半绝缘GaAs单晶 , 晶体生长

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