赖占平
,
齐德格
,
高瑞良
,
杜庚娜
,
刘晏凤
,
周春锋
,
高峰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.003
采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1×1018/cm3,晶体位错密度小于1×104/cm2.实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶.而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上.
关键词:
GaAs
,
单晶
,
掺杂
,
LEC
赖占平
,
齐德格
,
高瑞良
,
杜庚娜
,
刘晏凤
,
刘建宁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.017
高度PL mapping均匀的SI-GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底.本工作对影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究.发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PL mapping均匀性都有一定的影响;而晶体的AB-EPD和抛光工艺对PL mapping均匀性影响更大,AB-EPD与热处理工艺有关.对实验现象进行了解释.
关键词:
砷化镓
,
单晶
,
均匀性
,
抛光片
,
缺陷
