武明珠
,
郭闰达
,
张振松
,
岳守振
,
曲加伟
,
胡守成
,
黄苒
,
杜寰
,
王红波
,
赵毅
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0790
以比铝、银等金属材料透光性更好的铜作为白光有机顶发射器件的顶电极,将其应用到基于 Al 底电极的蓝、黄互补色顶发射白光有机电致发光器件(TEWOLED),通过合理设计器件结构,制备出的器件具有较低的驱动电压和较高的效率,4 V 下亮度超过1000 cd/m2、功率效率达到28．5 lm/W,效率滚降较小。我们利用 p 型电学掺杂结构和电子注入缓冲层结构分别解决了铝和铜电极功函数同空穴传输层的 HOMO 能级和电子传输层的 LUMO 能级不匹配问题,并通过 TcTa 光学覆盖层的调节作用使器件具有较好的光谱稳定性。基于 Cu 顶电极的 TEWOLED 与采用 Al 作为互连金属的 CMOS 工艺兼容,我们将该器件与硅基 CMOS 驱动电路结合,获得了 SVGA 白光有机微显示器件,为彩色有机发光微显示的实现奠定了基础。
关键词:
顶发射白光有机电致发光器件
,
铜顶电极
,
SVGA白光有机微显示
王文博
,
王晓慧
,
黄苒
,
欧毅
,
杜寰
,
夏洋
,
韩郑生
,
冯亚云
,
凌志华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.021
介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果影响较小.
关键词:
LCOS
,
微显示
,
CMP
,
镜面电极
马飞
,
黄苒
,
赵博华
,
郝丽芳
,
卢颖飞
,
杜寰
,
韩郑生
,
林斌
,
倪旭翔
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0364
研究了硅基液晶(LCoS)场序彩色显示驱动系统的设计与实现.该系统以FPGA作为主控芯片,用两片高速DDR2 SDRAM作为帧图像存储器.通过对图像数据以帧为单位进行处理,系统将并行输入的红、绿、蓝数据转换成申行输出的红、绿、蓝单色子帧.将该驱动系统与投影光机配合,实现了分辨率为800×600的LCoS场序彩色显示.
关键词:
LCoS
,
场序彩色显示
,
FPGA
,
DDR SDRAM
杜寰
,
赵士平
,
王瑞峰
,
徐凤枝
,
王晶
,
陈赓华
,
杨乾声
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.01.001
本文用磁控溅射方法研究了全铌隧道结 dc SQUID 的制备.根据铌结的Stewart-McCumber参量βc选择确定结的并联电阻,消除了结的回滞,并联电阻后的I-V曲线很好的符合RSJ模型.为了获得大的磁通电压调制幅度,设计了较小的SQUID环孔, 环孔电感为L～25pH.由此制备的SQUID 具有传输函数((e)v/(e)φe)Ib,其本征能量分辨率达～24h.
关键词:
王晓慧
,
王文博
,
陈淑芬
,
孟彦龙
,
杜寰
,
韩郑生
,
赵毅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.015
由于微型显示像素面积的限制,硅基有机发光微显示像素驱动电路需要实现足够小的驱动电流.文章提出的三管电压控制型像素驱动电路与常规的采用电流镜电路的电流控制型像素驱动电路都能实现微显示所需的小电流驱动.利用Synopsys公司的H-spice软件对两种电路仿真比较,发现电流控制型电路具有线性灰度和较宽的有效灰度范围,但是通过调整电压控制型电路中与OLED并联的晶体管的宽长比,即可使其有效灰度范围与电流控制型电路可比.同时也发现电流控制型电路的功耗是电压控制型电路的4倍以上,且电路形式较复杂,工艺要求较高.所以三管电压控制型电路更适合于硅基有机发光微显示驱动电路.
关键词:
硅基有机发光微显示驱动
,
电压控制型
,
电流控制型
,
像素驱动
,
小电流驱动
王瑞峰
,
赵士平
,
陈赓华
,
杜寰
,
徐凤枝
,
杨乾声
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.04.016
磁场穿透深度λ是超导体的一个基本参数,目前,一般测试穿透深度的实验只能给出其变化量Δλ=λ(T)-λ(0),而不能得到λ的绝对值.并且由于测量精度的限制,用给定的理论模型拟合实验结果而得到的λ也有很大的不确定性.本文对此进行了详细的分析,并用双线圈互感法研究了超导薄膜穿透深度的精确测量,并给出了磁控溅射Nb膜的测量结果.我们的研究表明,这一方法能较为准确地给出λ的绝对值,从而避免了以往的测量及拟合所导致的不确定性.基于BCS理论并考虑样品有限的电子平均自由程后,理论计算结果与我们的测量结果吻合较好.
关键词:
黄苒
,
杜寰
,
王文博
,
王晓慧
,
韩郑生
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.018
分析研究了微显示器件的场缓存技术与现有硅基液晶场缓存像素电路的结构特点,提出了一种新型的像素电路结构,此电路改变了以往电路结构中专门采用一个晶体管对像素电容进行放电的做法,通过同一个晶体管对像素电容进行充放电.电路经过Hspice仿真,对结果进行分析表明,其功能及特性符合设计要求,像素电容电荷保持率达到99%.电路具有结构简单,占用芯片面积小,像素电容电荷保持率高等优点,适合高亮度、高分辨率微显示器件的设计与制造.
关键词:
硅基液晶
,
场缓存
,
像素电路
