于晖
,
介万奇
,
查钢强
,
杜园园
,
王涛
,
徐亚东
人工晶体学报
采用垂直Bridgman方法生长的CdZnTe晶体,定向切割成12 mm×7 mm×2.5 mm单晶片.通过研磨、抛光、腐蚀、电极制备、钝化、退火等一系列工艺,制成了Au/CdZnTe/Al平面探测器.重点研究了快速退火对电极接触特性的影响.测试了Au/CdZnTe/Al平面探测器的能谱响应特性.结果表明:在室温偏压为350 V条件下,探测器的241Am 59.54 keV光谱能量分辨为3.95%(2.35 keV FWHM).
关键词:
CdZnTe
,
平面探测器
,
快速退火
,
能量分辨率
栾丽君
,
介万奇
,
王涛
,
杜园园
稀有金属材料与工程
通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果；而光致发光谱的分析结果表明,掺杂后施主-受主对峰增加,受主束缚激子峰减弱,且随着In含量的增加,受主束缚激子峰消失,只剩下施主-受主对峰.这一系列变化是因为替代的In原子作为施主补偿了Cd空位的缘故.拉曼光谱的测量显示,In掺杂导致“类CdTe”的纵向光学声子峰减弱;而磁学的测试结果则说明In的引入几乎不引起碲锰镉晶体磁化强度的变化.
关键词:
铟掺杂
,
吸收边
,
红外透过率
,
光致发光谱
,
拉曼光谱
,
磁化强度
郑昕
,
杜园园
,
王涛
,
介万奇
,
齐阳
,
栾丽君
人工晶体学报
采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为φ30 mm× 60 mm的Cd0.9Mn0.1Te:In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌.测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻；采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界；采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌.测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60％,电阻率达到2.828×1011Ω · cm.位错密度在106 cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104 cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭.生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面.但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹.
关键词:
Cd0.9Mn0.1Te晶体
,
Te溶剂-Bridgman法
,
红外透过率
,
电阻率
,
位错
徐亚东
,
介万奇
,
王涛
,
俞鹏飞
,
杜园园
,
何亦辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00359
采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒. 结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化. 通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态, 以及晶体的结晶质量, 并测试了相应晶体的电阻率. 归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10K温度下PL谱中特征发光峰之间的关系. 研究表明:富Te条件下生长的晶体存在圆形、六边形以及三角形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)峰强度占主导;按化学计量比生长的晶体存在十字交叉的富Te颗粒,PL谱中DAP峰强度占主导;Cd过量生长的晶体存在星形富Te颗粒, PL谱中(D0,X)半峰宽较宽.
关键词:
CdZnTe晶体
,
infrared transmission microscopy
,
Te-rich particles
,
PL spectra
徐亚东
,
介万奇
,
王涛
,
俞鹏飞
,
杜园园
,
何亦辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00359
采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒.结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化.通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态,以及晶体的结晶质量,并测试了相应晶体的电阻率.归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10 K温度下PL谱中特征发光峰之间的关系.研究表明:富Te条件下生长的晶体存在圆形、六边形以及三角形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)峰强度占主导;按化学计量比生长的晶体存在十字交叉的富Te颗粒,PL谱中DAP峰强度占主导;Cd过量生长的晶体存在星形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)半峰宽较宽.
关键词:
CdZnTe晶体
,
红外透过显微成像
,
富Te颗粒
,
PL谱
杜园园
,
介万奇
,
李焕勇
功能材料
在NiS纳米粒子的辅助下,采用CVD方法,在NiS-Zn系统中成功地合成了长为25μm,直径大约200nm的具有立方相闪锌矿结构ZnS纳米线,其最优生长方向为[111].由PL谱可知,在437.2nm处有一个很强的发射峰,说明ZnS纳米线具有很好的发光特性和单晶质量.并提出了氧化还原反应作用下的VLS生长机制,较好的解释了ZnS纳米线的形成过程.
关键词:
ZnS
,
闪锌矿
,
一维结构
,
化学气相沉积
,
Ⅱ-Ⅳ族材料
杜园园
,
介万奇
,
李焕勇
人工晶体学报
以Zn粉为原料,在CuE(E=S, Se)微米球的辅助下,采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上成功制备出微米级ZnE(E=S, Se)网状晶须.用XRD,EDS,SEM和PL谱分别对产物的结构、成分、形貌和结晶质量进行了测试和分析.结果表明:生长的ZnS和ZnSe微米晶须均为立方闪锌矿结构,长度达300 μm以上,具有接近理想化学计量比的成分和较高的结晶质量.ZnE微米晶须的生长符合氧化还原反应下的气-液-固生长机制,Cu3Zn合金充当了实际的微米晶须生长催化剂,在晶须生长过程中Cu3Zn合金汇聚在一起使ZnE微米晶须形成交叉网状结构.
关键词:
化学气相沉积
,
微米晶须
,
ZnS
,
ZnSe
,
气-液-固生长机制
