李阳平
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陈海波
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刘正堂
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武倩
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郑倩
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张淼
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徐启远
材料科学与工艺
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面，提高其高宽比，用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术，以SF6和02为反应气体，在Ge衬底上制备了二维亚波长结构，用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察，研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响，结果表明：刻蚀图形腰部被优先刻蚀，形成凹陷的侧壁轮廓；02流量增大有利于在侧壁形成保护层，从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀；功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大；方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构。
关键词:
锗
,
光刻
,
反应离子刻蚀
,
亚波长结构
,
掩模
冯丽萍
,
刘正堂
,
李阳平
,
陈继权
功能材料
用抛光铝合金作衬底在平行孪生靶的磁控溅射设备中制备出二氧化钛薄膜,薄膜厚度为500nm,XRD测量表明二氧化钛薄膜为锐钛矿型(anatase).该薄膜在紫外光源照射下,对甲苯、苯、二氧化硫及香烟气体有良好的降解作用;对大肠杆 菌、金黄色葡萄糖菌有良好的去除作用.
关键词:
蓝宝石
,
SiO2薄膜
,
膜系设计
,
射频磁控反应溅射
孙金池
,
刘正堂
,
张兴刚
,
崔虎
,
李阳平
功能材料
采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能.讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降.通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流.对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃.利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响.
关键词:
Cu/Ag导电薄膜
,
Cd0.9Zn0.1Te晶体
,
接触
,
磁控溅射
陈继权
,
孙金池
,
李阳平
,
刘正堂
功能材料
高阻CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料.制备CdZnTe探测器最关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触薄膜电极.关于在CdZnTe晶体表面制备接触电极用导电薄膜,大都是采用蒸发镀膜技术,膜层与CdZnTe晶体结合不很牢固.本论文主要开展了在CdZnTe晶体上欧姆接触电极的选材和制备工艺的研究.理论分析了金属与CdZnTe半导体的接触关系,根据影响因素选择Cu/Ag合金作为电极薄膜材料.利用射频磁控溅射法成功地在CdZnTe晶体上制备出Cu/Ag膜.研究发现Cu/Ag合金膜的电阻率随溅射功率的增大而增大、衬底温度的升高而降低.从理论上对这一规律进行了解释.
关键词:
碲锌镉
,
欧姆接触
,
薄膜
,
磁控溅射
冯丽萍
,
刘正堂
,
刘文婷
,
李阳平
,
陈继权
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2005.02.006
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,成功地在蓝宝石基片上制备出了二氧化硅(SiO2)薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究.结果表明,制备的SiO2薄膜与蓝宝石衬底结合牢固;和其它镀膜技术相比,射频磁控反应溅射法可以在较低的温度下制备出SiO2薄膜;制备出的SiO2薄膜在3～5μm波段对蓝宝石衬底有明显的增透效果.
关键词:
磁控反应溅射
,
蓝宝石
,
二氧化硅薄膜
李鑫
,
李秉羲
,
骆玉城
,
李阳平
材料研究学报
采用两次阳极氧化法在草酸溶液中制备多孔氧化铝(AAO),分别研究了电压、氧化时间及草酸溶液浓度对AAO孔洞特征的影响.结果表明,在第一次氧化过程中孔间距随氧化电压的提高而增大,氧化时间和草酸溶液浓度几乎没有影响;在第二次氧化过程中时间、电压及草酸溶液浓度对孔间距基本无影响,但是随着氧化电压的增大AAO孔径明显增大,孔洞呈六方阵列排布.此外,第二次氧化电压增大时孔洞形状由圆形到长条形、再到六边形变化;第二次氧化草酸溶液浓度增大至0.4 mol/L时所制备的AAO的相邻孔洞沿特定取向发生贯穿现象,甚至溶解,而孔洞整体分布有序性几乎不受影响.
关键词:
无机非金属材料
,
多孔氧化铝
,
两次氧化法
,
草酸溶液
,
孔洞特征
巨志高
,
刘正堂
,
李阳平
材料导报
化学气相沉积(CVD)金刚石具有优异的机械、光学和热学性能,成为高速长波红外窗口的首选材料,但是当高速飞行时,由于空气动力加热会产生很高的温度而使其迅速遭受氧化,甚至完全失效.简要概述了CVD金刚石高温氧化现象及机理、抗氧化保护的最新研究进展.
关键词:
CVD金刚石
,
红外窗口
,
抗氧化保护
李阳平
,
刘正堂
,
耿东生
功能材料
用软件SRIM及蒙特卡罗法综合模拟了靶材溅射及溅射原子输运的过程.模拟结果包括溅射原子输运到衬底时的能量、入射角和入射位置.由模拟结果知,溅射原子输运主要受P×d影响(P为真空室气压,d为靶基距),P×d愈大输运到衬底的溅射原子愈少,且能量愈小;溅射原子到达衬底时,能量集中在几电子伏范围内,且在能量很低的区域有分布峰;角度分布主要集中在垂直方向,这与从靶面出射时的分布相似,但垂直方向的分布有所减小;位置分布与从靶面出射时相比,分布范围在径向扩大、趋于均匀化,但主要在靶直径范围内.
关键词:
计算机模拟
,
溅射
,
输运
,
溅射原子
