邹凯
,
李蓉萍
稀土
doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201503007
采用化学水浴法制备了结构为CdS/CdS的薄膜,并结合电子束真空蒸发法,在两层CdS之间沉积一层Dy单质制备了结构为CdS/Dy/CdS的Dy掺杂薄膜.XRD和SEM测试表明,未掺杂的薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,但是含有Dy掺杂层的CdS薄膜则为立方相和六方相的混合结构,并且掺Dy后CdS的晶粒尺寸和晶格常数变大.XPS分析表明,两种样品均富Cd,掺Dy有助于降低薄膜中O和C的含量,进而抑制薄膜中氧化物的形成;未掺杂时薄膜表面和内部Cd、S的原子比分别为1∶0.63和1∶0.71,掺Dy后分别提高到1∶0.81和1∶0.83,更接近CdS的化学计量比,而且组分更加均匀.
关键词:
掺Dy-CdS
,
化学水浴法
,
电子束蒸发
,
结构
,
XPS
刘鹏
,
李蓉萍
,
董海成
,
李忠贤
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2008.05.012
用溶胶-凝胶法分别制备了掺杂Y和Ce的纳米TiO2粉末,掺杂浓度原子分数分别为1%、3%和5%,在不同温度下对样品进行了热处理.用紫外可见分光光度计对样品吸收特性进行了测试,结果表明,掺杂明显改变了样品的紫外吸收特性,并且掺杂浓度,热处理温度对样品吸收以及光学带隙都有明显影响.掺Ce的样品吸收效果更好.掺杂使光带隙减小.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
纳米TiO2
,
紫外线
,
光学带隙
邹凯
,
李蓉萍
,
刘永生
,
田磊
,
冯松
稀土
结合化学水浴法和真空电子束热蒸发法在玻璃衬底上制备了含有不同厚度Pr掺杂层的CdS多晶薄膜,并对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行了研究.结果表明,未掺杂的CdS薄膜为沿[111]晶向择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为N型.Pr掺杂并未改变CdS薄膜的物相结构和择优取向,但衍射峰强度增加;掺Pr后CdS薄膜的晶粒尺寸增大,致密性提高,并且薄膜在可见光范围内的透过率增加,光学带隙变大.同时还发现CdS中掺Pr后影响了薄膜的电学性能,掺杂浓度较低时CdS薄膜电阻率增大,掺杂浓度较高时薄膜的电阻率降低并且导电类型由N型转变为P型.
关键词:
CdS薄膜
,
Pr掺杂
,
化学水浴法
,
光学特性
邹凯
,
李蓉萍
,
刘永生
,
田磊
,
冯松
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.03.007
采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.
关键词:
ZnTe薄膜
,
Sb掺杂
,
真空蒸发
,
光学性能
,
电学性能
安晓晖
,
李蓉萍
,
田磊
,
何志刚
,
吴蓉
,
李忠贤
稀土
应用双源法真空蒸发制备掺Gd的CdTe薄膜,并借助XPS对其进行组份分析.实验表明,Gd掺杂的CdTe薄膜的组分为Cd、Te、O、C、Gd等元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面;Cd、Te元素的存在方式为CdTe化合物及其氧化物形式;而Gd元素由于碳污染的原因在其表面未曾出现,只在刻蚀过程中出现;深度剥蚀分析表明在样品内部Cd元素的含量大于Te元素的含量,且接近于1∶0.8,趋于稳定.
关键词:
真空蒸发
,
掺Gd-CdTe 薄膜
,
XPS
,
成分
吴蓉
,
李蓉萍
,
何志刚
,
安晓晖
,
李忠贤
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2011.03.012
利用真空蒸发的方法制备ZnSe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了Dy的掺杂.用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征.结果表明,当Zn、Se原子配比为0.9:1时可制备较理想的ZnSe多晶薄膜,稀土Dy掺杂并未改变样品的物相结构,但掺杂使薄膜的晶格常数及晶胞体积略有增大,还使得薄膜的晶粒尺寸及压应力变小,掺杂后薄膜的光透射性得到改善.
关键词:
ZnSe薄膜
,
微结构
,
真空蒸发
,
掺杂
何志刚
,
李蓉萍
,
董海成
,
安晓晖
,
吴蓉
,
李忠贤
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2011.02.003
用真空热蒸发法在玻璃衬底制备CdTe和Cd掺杂CdTe薄膜.研究热处理和Gd掺杂量对CdTe薄膜结构、光学特性的影响.结果表明,薄膜均为立方闪锌矿结构,Gd的掺入没有改变薄膜的晶体结构,但使薄膜的晶粒尺寸减小,晶格常数和晶胞体积略有增大,并使其择优取向由[220]晶向变为[111]晶向.掺Gd使薄膜在可见光范围透过率增强,但对光能隙影响不大.
关键词:
真空蒸发
,
CdTe薄膜
,
Cd掺杂
,
光学特性
李忠贤
,
李蓉萍
,
吴蓉
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2011.01.011
利用真空蒸发的方法制备ZnTe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Dy的掺杂.用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征.结果表明,当原子配比Zn:Te=1:0.7,热处理温度T=500℃时,可制备较理想的ZnTe多晶薄膜.稀土Dy掺杂并未改变样品的物相结构,但使薄膜光吸收增大而光学带隙减小.
关键词:
ZnTe薄膜
,
光学特性
,
真空蒸发
,
稀土掺杂
刘永生
,
李蓉萍
,
邹凯
材料科学与工程学报
本文采用真空蒸发法在CdTe粉末中按不同比例掺入CdSe粉末,选择合适的工艺条件,在玻璃衬底上制备了性能稳定的CdSexTe1-x三元化合物薄膜.利用XRD、紫外-可见分光光度计、XPS对薄膜的结构、光学性能、组成成分等进行了表征.XRD测试结果表明,薄膜均为立方闪锌矿结构的CdSexTe1-x三元化合物,并沿(111)晶面择优生长,晶格常数随x值增大而减小;透射光谱表明薄膜的吸收限随x值增大先向长波方向移动,x=0.64时达到最大值,然后向短波方向移动;XPS分析表明,薄膜的主要成分为CdSexTe1-x三元化合物,随着x值增大,Se、Te、Cd三种元素的特征峰均向高结合能方向偏移.
关键词:
真空蒸发
,
CdSexTe1-x薄膜
,
XRD
,
XPS表征
