熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
功能材料
采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.此外,缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
厚度
殷景华
,
蔡伟
,
王培林
,
郑玉峰
,
王中
,
李美成
,
赵连城
功能材料
采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si+PtSi→PtSi→Si或Pt+PtzSi+PtSi→PtSi→Si.退火温度高,薄膜中晶粒尺寸大,表面粗糙.
关键词:
退火温度
,
PrSi/Si异质结
,
硅化物
,
薄膜
,
表面形貌
李美成
,
殷景华
,
蔡伟
,
赵连城
,
陈学康
,
杨建平
,
王菁
功能材料
PtSi红外探测器是一种重要的光电器件,在军事和民用方面均起着非常重要的作用.高质量硅基PtSi薄膜的制备是高性能器件研制的基础.本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备PtSi薄膜的方法.并评述了PtSi红外探测器的最新应用研究进展及发展趋势.
关键词:
红外探测器
,
纳米薄膜
,
脉冲激光沉积
,
激光分子束外延
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
稀有金属材料与工程
研究了用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺.为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层,有效降低了外延层中的位错密度,提高了晶体质量.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数:厚度为20 nm,生长速率为1.43 μm/h,Ⅴ/Ⅲ束流比为2.0.并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性:GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子(BE4)和施主一受主对(D-A)辐射复合发光峰组成,在50 K时其发光峰强度最强,半峰宽最窄.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
发光特性
熊丽
,
李美成
,
邱永鑫
,
张保顺
,
李林
,
刘国军
,
赵连城
功能材料
用分子束外延(MBE)法在GaAs(100)衬底上生长GaSb薄膜,得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件.为了降低因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温(LT)GaSb作为缓冲层,研究了缓冲层的生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响,并以此说明缓冲层在GaSb薄膜生长中所起的作用.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到当低温GaSb缓冲层的生长速率为1.43μm/h时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.
关键词:
分子束外延
,
GaSb
,
缓冲层
,
生长速率
耿学文
,
李美成
功能材料
贵金属纳米粒子催化性能的研究已成为当前新材料及能源科学研究领域的热点之一.最近,在用贵金属粒子作为催化剂,辅助刻蚀硅衬底制作太阳能电池减反射层方面开展了大量的研究工作.综述了近年来贵金属粒子催化刻蚀硅制备减反射层的研究进展,分析了贵金属粒子的催化机理和减反射层制作的影响因素,展望了贵金属粒子催化刻蚀薄膜太阳能电池硅衬底研究的发展趋势.
关键词:
贵金属粒子
,
催化剂
,
硅衬底
,
减反射层
李美成
,
邱永鑫
,
李洪明
,
赵连城
稀有金属材料与工程
通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3 nm,且观察到高密度的位错存在于外延膜中.通过光学试验数据,确定了试样的光学吸收边都是在370 nm附近,理论计算显示试样为直接跃迁型半导体,禁带宽度约为3.4 eV.试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小,计算表明消光系数的极小值位于370 nm处.光致发光测试分析表明,超晶格有很好的发光性能,并发现存在黄带发光.
关键词:
AlGaN/GaN超晶格
,
微观结构
,
吸收光谱
,
光致发光
李美成
,
杨建平
,
王菁
,
陈学康
,
赵连城
功能材料
用脉冲激光沉积制备了纳米级Pt/Si异质层,对脉冲激光退火形成超薄PtSi薄膜进行了研究.对于Pt、Si互扩散反应形成Pt2Si和PtSi的过程利用XPS进行了测试分析,通过XPS和AFM等分析测试手段对不同参数激光退火形成的PtSi薄膜的结构特性进行观测.我们获得了均匀的、超薄连续的PtSi层且具有平滑的PtSi/Si界面.
关键词:
脉冲激光沉积(PLD)
,
激光退火
,
纳米薄膜
李燕飞
,
宋威
,
桂太龙
,
李美成
中国稀土学报
测量了钙钍掺杂的多晶YBCO超导体的低温霍尔系数RH、霍尔电阻率ρH及其随温度T变化的特性.结果表明,在该掺杂系统中,RH大体上正比于T-1.推算并分析了霍尔载流子浓度nH,发现以掺杂Ca、Th来取代Y时,超导转变温度Tc、霍尔浓度nH及温度变化率dnH/dT都随掺杂浓度x的增加而降低.
关键词:
稀土
,
钇
,
钙钍掺杂超导体
,
霍尔浓度
