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高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器

石家纬 , 张素梅 , 齐丽云 , 胡贵军 , 李红岩 , 李永军 , 刘建军 , 张锋刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.026

通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后,表现出按指数规律缓慢下降的行为.初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力.

关键词: 高功率 , 单量子阱 , 远结半导体激光器 , 老化

碳化硅非线性导电特性的研究进展

郭磊 , 宁叔帆 , 于开坤 , 李红岩 , 赵丽华 , 刘斌 , 陈寿田

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.03.019

综述了碳化硅非线性导电特性的意义和碳化硅材料的特性、非线性导电特性的测试及计算方法,讨论了α-SiC和β-SiC的非线性导电特性及其影响因素.前人研究结果表明,对于α-SiC,颗粒越粗,电阻率ρ 0越低、非线性系数β越大;颗粒越细,电阻率ρ 0越高、非线性系数β越小;不同种类,不同工厂生产的碳化硅的电阻率ρ 0和非线性系数β是不同的;α-SiC制成防晕带后电阻率升高,β值下降,颗粒越粗,β值下降越大;防晕带与粉料的非线性性质有相似的规律 ,而β-SiC具有比α-SiC低得多的电阻率和较大的非线性系数,并且其电阻率和非线性系数受到粉料的粒径、合成温度和涂层有机物含量等因素的直接影响.

关键词: 碳化硅 , 电阻率 , 非线性系数 , 应用

含咔唑基团铕配合物的合成和荧光性能研究

马倩 , 吴静 , 李红岩 , 周永慧 , 郑佑轩 , 游效曾

中国稀土学报

将具有良好空穴传输能力的咔唑基团引入到一个新型β-二酮配体CCHPD(1-[(6-(9H-carbazol-9-yl)hexoxy)phenyl]-3-[(6-(9H-carbazol-9-yl)-hexoxy)-phenyl]-1,3-dione)中, 然后分别以1,10-邻菲咯啉(Phen)和4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉(Bath)为中性配体合成了两种相应的树枝状铕配合物. 配合物在230~350 nm的紫外光激发下都可以发射出非常强的铕离子特征红光(5D0→7FJ (J=0~4)), 主发射峰在612 nm. 含脂肪链的咔唑基团在铕离子的周围形成了"光吸收天线", 拓宽了β-二酮的吸收范围, 屏蔽溶剂分子对稀土离子荧光猝灭效应, 还可以有效地提高铕配合物的空穴传输能力, 对于提高稀土配合物的电致发光性能方面有重要的意义.

关键词: 咔唑 , β-二酮配体 , 铕配合物 , 荧光 , 稀土

808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性

胡贵军 , 石家纬 , 张素梅 , 齐丽云 , 李红岩 , 张锋刚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.037

介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低频电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系.结果表明,808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为1/f噪声,且在阈值附近有最大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性.

关键词: 半导体激光器 , 高功率 , 远结 , 噪声

纳米复合材料制备方法的研究进展

郭磊 , 李红岩 , 王峰 , 宁叔帆 , 刘斌 , 陈寿田

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.04.015

纳米尺度的复合为发展高性能的新型材料和改善传统材料性能提供了新的途径.从如何才能得到聚合物基纳米尺度复合的材料这一角度出发,综述了各种制备方法的概念、特点以及应用的研究进展.

关键词: 纳米复合 , 共混 , 溶胶-凝胶 , 插层 , 原位聚合

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