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2.5GDFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究

李秉臣 , 彭晔 , 朱洪亮

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.040

对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究,在退火温度400℃,退火时间30s进行快速热退火条件下,对Au-Pt-Ti/InAs/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究,并对两者串联电阻进行了比较,其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4.

关键词: 能带工程 , 欧姆接触 , 串联电阻