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利用CF4等离子体制作高开口率TFT-LCD

金奉柱 , 崔瑩石 , 劉聖烈 , 張炳鉉 , 柳在一 , 李禹奉 , 李貞烈 , Jung-yeal LEE

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.001

为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差.通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行.为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替 SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5.16(2.03 in)像素结构中,开口率提高了60 %.

关键词: TFT-LCD , 开口率 , 刻蚀 , CF4等离子体

Al-C-Ni组分的变化对Al-C-Ni与ITO层接触电阻的影响

金原奭 , 金聖雄 , 崔大林 , 柳在一 , 李禹奉 , 李貞烈

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.004

为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程.然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好.文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX (Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻.经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300 Ω,而且没有ACX引起的问题出现.

关键词: ITO , Al-C-N , 接触电阻 , 组分

用Al或Mo/Al/Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法

劉聖烈 , 崔螢石 , 金奉柱 , 柳在一 , 李禹奉 , 李貞烈

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.020

为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善.但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用.本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.

关键词: 液晶显示器 , 腐蚀 , Al,Mo/Al/Mo , 等离子体处理

利用等离子增强化学汽相沉积生长初期快速结晶的纳米晶硅

金雄聖 , 金原奭 , 柳在一 , 李禹奉 , 李貞烈

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.006

成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对SiNx薄膜表面进行处理.在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅.利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅.为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率.室温下,电导率从非晶硅的10-10 S/cm增加到10-5 S/cm.

关键词: 薄膜 , 纳米晶硅 , 等离子增强化学汽相沉积 , 电导率

获得精细通孔图形的光刻技术改进

宋泳锡 , 劉聖烈 , 柳在一 , 張炳鉉 , 李禹奉 , 李貞烈

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.009

为了获得更高性能的TFT-LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一.本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工艺,而不需要改变Eop和显影时间,就可以将通孔图形的尺寸减小20 %～25 %.在后续的刻蚀工艺中,通孔的尺寸能显著减小.

关键词: TFT-LCD , 光刻 , 通孔图形 , 尺寸

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