吴春瑜
,
沈桂芬
,
王颖
,
朱长纯
,
李玉魁
,
白纪彬
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.002
在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层.通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析.结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC.SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成.
关键词:
SiC
,
离子束合成
,
能量损失谱
靳孝峰
,
张琦
,
李玉魁
,
武超
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.010
结合丝网印刷工艺,通过制备绝缘层和布线层的层叠式,在玻璃基底上实现了大面积的点阵阴极寻址结构.应用碳纳米管作为阴极材料,研发了三极结构的场致发射平板显示器件样品.通过点阵阴极寻址结构,可直接对发光像素进行逐点控制,从而实现整体器件的图像显示.该器件可与现有的驱动集成电路相结合进行控制,具备良好的场致发射特性和高的显示亮度.
关键词:
场致发射
,
阴极
,
寻址
,
点阵
,
碳纳米管
靳孝峰
,
赵锋
,
李玉魁
,
武超
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.05.008
三极结构的场致发射显示器是一种新型的真空平板显示装置,高真空的实现与维持是确保显示器件正常工作的必要条件.通过采用低熔点玻璃粉烧结工艺和玻璃定位片装置,实现了场致发射显示器的高真空平板封装.从器件封装结构、器件烧结、器件排气和器件烤消等方面进行了工艺改进.综合采用这套技术,已经研发出三极结构的、具有高真空度的碳纳米管阴极场致发射显示器样品.
关键词:
显示器件
,
场致发射
,
封装
,
三极
,
真空
李玉魁
,
刘云朋
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.05.021
结合低熔点玻璃粉密封工艺,应用钙钠平板玻璃分别形成阴极面板、阳极面板和封装面板,研发了三极结构的场致发射显示器件.阳极面板作为相互连通的发射腔和排气腔的公共端,用于产生器件显示图像;具有高平整度的阳极面板处于真空环境中,不会出现形变现象,确保了发光图像的显示均匀性.封装面板上不存在任何电极.整体封装器件制作工艺稳定、可靠且成本低廉,具有较高的显示亮度、良好的栅控特性和图形显示功能.
关键词:
面板
,
封装
,
显示
,
器件
,
场发射
李玉魁
,
王凤歌
,
刘兴辉
,
曾凡光
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132803.0305
对钠钙平板玻璃进行切割形成后封装面板.结合高效的丝网印刷技术,在后封装面板上制作了半圆组阴栅结构.烧结的银浆层用于形成导电电极组中的双长条电极,而固化的绝缘浆料则用于构成绝缘层.碳纳米管直接制备在长条电极的表面,呈现双半圆形状,用于进行电子发射.栅极则是固定在碳纳米管阴极的上方,栅极和阴极之间依靠栅极基底而相互隔离.测试结果表明,应用半圆组阴栅结构,能够进一步降低阴极-栅极之间的电容效应,提高碳纳米管的电子发射能力,并增强三极场发射显示器的驱动灵活性.以碳纳米管作为阴极材料,进行了三极结构小型场发射显示器的研制.该三极显示器具有良好的场致发射特性,高的发光亮度以及优良的发光图像均匀度,其开启场强约为2.12 V/μm,且制作成本低廉.
关键词:
制作
,
阴极
,
场发射
,
封装面板
