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Mg-Al水滑石“记忆效应”及其对Cr(VI)阴离子吸附性能研究

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00874

采用尿素法制备高结晶度Mg-Al 水滑石(MAH), 系统研究了Mg-Al水滑石“记忆效应”及其对Cr(VI) 阴离子吸附性能的影响. 通过XRD、FT-IR、SEM、DSC以及去卷积分析对MAH、重构“记忆”MAH (RMAH)以及MAH的金属氧化物(MAO)、RMAH的金属氧化物(RMAO)进行表征分析. 结果表明, 重构的“记忆”RMAH和前体MAH均具高结晶度水滑石层状晶体结构特征, 两者晶体结构和层板电荷密度几乎无差异. MAO仍保留层状结构, 而再次重构的RMAO中MgAl₂O₄尖晶石晶相增多, 仍有层状结构残留. 由于水滑石强结构“记忆效应”, 使Mg-A1 LDOs(MAO和RMAO)对Cr(VI)阴离子吸附能力大大强于Mg-A1 LDHs(MAH和RMAH). MAO对Cr(VI)阴离子吸附能力高于RMAO, 可能由于RMAH焙烧形成的RMAO中MgAl₂O₄尖晶石含量增多及层状结构消减, 导致其“记忆效应”重构能力衰减, 从而使RMAO对Cr(VI)阴离子吸附能力下降.

关键词: Mg-Al水滑石 , memory effect , Cr(VI) , adsorption , descent

蒸发金和芯片表层黑色颗粒分析

马晓霞 , 范红 , 李守生 , 李玉芹 , 杜晋峰

黄金 doi:10.11792/hj20151102

采用扫描电镜分析了蒸发金熔化凝固后表层以及蒸镀后在芯片表面形成的黑色颗粒的形貌和成分. 试验结果表明:该黑色颗粒成分主要为金,是其蒸发金和芯片表层与碳、氧等非金属杂质相混合,而非长期以来认为的石墨(碳)颗粒;分析确定了非金属杂质的来源,并从熔炼以及拉丝工艺环节提出了改进措施.

关键词: 蒸发金 , 芯片表面 , 黑色颗粒 , 电子束蒸发 , 铸造 , 塑性变形

键合丝生产重点和工序控制

马晓霞 , 范红 , 夏振兴 , 李玉芹

黄金 doi:10.11792/hj20140202

键合丝的生产不断向低成本发展，目前市场上存在的键合丝种类繁多，但不同类型键合丝的生产流程大致相同，而各流程工序细节控制不尽相同。文中分别从拉丝、退火和绕线工序阐述了不同类型键合丝生产过程中应注意的重点和细节问题。

关键词: 键合丝 , 拉丝 , 退火 , 绕线 , 工序

Mg-Al水滑石“记忆效应”及其对Cr(VI)阴离子吸附性能研究

赵策 , 曾虹燕 , 王亚举 , 刘平乐 , 李玉芹 , 杨永杰

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00874

采用尿素法制备高结晶度Mg-Al水滑石(MAH),系统研究了Mg-Al水滑石“记忆效应”及其对Cr(VI)阴离子吸附性能的影响.通过XRD、FT-IR、SEM、DSC以及去卷积分析对MAH、重构“记忆”MAH (RMAH)以及MAH的金属氧化物(MAO)、RMAH的金属氧化物(RMAO)进行表征分析.结果表明,重构的“记忆”RMAH和前体MAH均具高结晶度水滑石层状晶体结构特征,两者晶体结构和层板电荷密度几乎无差异.MAO仍保留层状结构,而再次重构的RMAO中MgAl2O4尖晶石晶相增多,仍有层状结构残留.由于水滑石强结构“记忆效应”,使Mg-AlLDOs(MAO和RMAO)对Cr(VI)阴离子吸附能力大大强于Mg-Al LDHs(MAH和RMAH).MAO对Cr(VI)阴离子吸附能力高于RMAO,可能由于RMAH焙烧形成的RMAO中MgAl2O4尖晶石含量增多及层状结构消减,导致其“记忆效应”重构能力衰减,从而使RMAO对Cr(VI)阴离子吸附能力下降.

关键词: Mg-Al水滑石 , 记忆效应 , 铬(VD , 吸附 , 衰减