汪洪
,
苏凤莲
,
周圣明
,
宋学平
,
刘艳美
,
李爱侠
,
尹平
,
孙兆奇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.050
采用磁控溅射法在硅(111)衬底上制备了C轴高度取向的ZnO薄膜,并研究了退火温度和氧气气氛对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小和光致发光谱的影响.X射线衍射表明,所有薄膜均为高度C轴择优取向,当退火温度低于900℃时,随着退火温度的升高,薄膜的取向性和结晶度都明显提高.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,退火后的样品均可观测到明显的紫光发射.在一定的退火温度范围内,还可以观测到明显的紫外双峰.空气中退火的样品,当退火温度达到或高于600℃还可观测到绿光发射.实验结果表明,发光峰强度随退火温度和氧气气氛不同而不同,通过改变退火时的温度和氧气气氛可以改变ZnO薄膜的微结构和发光性质.
关键词:
ZnO薄膜
,
磁控溅射
,
X射线衍射
,
光致发光
汪洪
,
苏凤莲
,
宋学平
,
刘艳美
,
李爱侠
,
周圣明
,
孙兆奇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.022
用脉冲激光沉积法在Al2O3(0001)衬底上沉积了ZnO薄膜.衬底温度分别为300℃、400℃、500℃、600℃和700℃.利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究.X射线衍射的结果表明在不同温度下生长的ZnO薄膜均具有高度c轴择优取向,衬底温度400℃时,膜的应力较小质量较高.ZnO薄膜有很强的紫外发光峰,紫外发光峰的强度与衬底温度密切相关,并发现当衬底温度从300℃增到400℃时,紫外发射峰出现6nm的蓝移.
关键词:
ZnO薄膜
,
脉冲激光沉积
,
X射线衍射
,
光致发光谱
徐志元
,
孙兆奇
,
李爱侠
,
孙大明
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.022
以真空烧结的Ag-MgF2粉体为蒸发材料,用真空蒸镀法制备了Ag-MgF2金属陶瓷薄膜,X射线衍射、红外以及紫外-可见光谱研究表明:薄膜为由纳米fcc-Ag晶粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2基体中构成.在400～1600cm-1波数范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜具有400～600cm-1的MgF2晶体特征吸收带和Ag-MgF2复合结构产生的730～1250cm-1的吸收谱带;在200～800nm波长范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜对波长为220～800nm的光波均具有很低的反射率和很强的吸收,对波长为340～580nm的光波吸收率高达85%以上;而在紫外光区,Ag-MgF2薄膜则具有高反射率(＞51%).
关键词:
Ag-MgF2金属陶瓷薄膜
,
复合结构
,
光学特性
李爱侠
,
孙大明
,
孙兆奇
,
宋学萍
,
赵宗彦
,
刘艳美
功能材料
报道了用电子薄膜应力分布测试仪测量了不同温度、不同厚度的Ag-MgF2复合薄膜的内应力变化情况,得到了基底温度(退火温度)在300～400℃范围内薄膜平均应力最小,且处于张应力向压应力转变区域.XRD分析表明,在Ag-MgF2复合薄膜中Ag对复合薄膜内应力的影响大于MgF2.
关键词:
Ag-MgF2复合薄膜
,
内应力
,
微结构
汪洪
,
周圣明
,
宋学平
,
刘艳美
,
李爱侠
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.021
采用磁控溅射法在(111)单晶硅衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了退火温度对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小、应力和光致发光谱的影响.X射线衍射(XRD)表明薄膜为高度c轴择优取向.不同退火温度下的ZnO薄膜应力有明显变化,应力分布最为均匀的退火温度为500℃.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,可观测到明显的紫光发射(波长为380nm左右).实验结果表明,用磁控溅射法在单晶硅衬底上能获得高质量的ZnO薄膜.
关键词:
ZnO薄膜
,
磁控溅射
,
X射线衍射
,
应力
,
光致发光
刘艳美
,
赵宗彦
,
李爱侠
,
杨坤堂
,
韩家骅
,
孙兆奇
功能材料
采用X射线衍射仪高温附件测定了MgF2粉末从室温至1000℃的温度范围内的XRD谱,用Rietveld全谱拟合方法精化了各个温度下的相关参数.研究发现:置于大气中的纯MgF2高温易氧化,在700℃左右存在一个异常膨胀区,MgF2的两个F原子随温度升高有一种围绕Mg原子转动的趋势.
关键词:
MgF2氧化
,
Rietveld全谱拟合
,
固态相变
李爱侠
,
孙大明
,
孙兆奇
,
宋学萍
,
赵宗彦
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2004.02.004
用电子薄膜应力分布测试仪测量了基底温度对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响.结果表明:基底温度在300℃～400℃范围内,φ20.4 mm选区内的薄膜平均应力最小,应力分布比较均匀,应力为张应力.XRD分析表明:当基底温度在300℃～400℃范围内,Ag-MgF2薄膜中的Ag和MgF2组分的晶格常数接近块体值,说明通过改变基底温度可以降低薄膜内应力.
关键词:
Ag-MgF2金属陶瓷薄膜
,
应力
,
基底温度
,
微结构
