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新型无碳前体在高k氧化物薄膜化学气相沉积上的应用

邵起越 , 袁涛 , 李爱东 , 董岩 , 方峰 , 蒋建清 , 刘治国

功能材料

通过一种简便可行的合成工艺,成功合成了3种具有良好挥发性的无碳前体:无水硝酸钛、硝酸锆和硝酸铪.以这些无水金属硝酸盐为前体,采用化学气相沉积(CVD)工艺成功淀积了具有良好介电性能的3种高介电常数(high-k)氧化物薄膜:TiO2、ZrO2和HfO2薄膜.这类不含碳的金属前体能直接在Si衬底上气相沉积,无需引入氧化气体,且沉积温度较低,可避免低介电常数界面层生成,在化学气相沉积栅介质薄膜方面独具优势.

关键词: 无水硝酸盐 , 化学气相沉积(CVD) , 高介电常数(high-k)栅介质

氮氢混合气氛对SrBi2Ta2O9铁电薄膜和粉末性能的影响

王东生 , 于涛 , 胡安 , 吴迪 , 李爱东 , 刘治国

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00737

用金属有机物分解法分别制备了SrBi2Ta2O9(SBT)薄膜和粉末样品. XRD和SEM结果显示SBT粉末经历氮氢混合气氛400℃退火处理后发生了还原反应,金属Bi和δ-Bi2O3析出,成针状结构聚集在表面,晶体结构没有被破坏. SBT薄膜在500℃退火处理时,表面出现Bi的球形及针状结构聚集体,相对于薄膜结构,SBT粉末中的Bi元素在较低温度时更容易被还原. Bi的大量缺失严重影响薄膜的铁电性能,当退火时间为5.5min时,SBT薄膜剩余极化强度Pr下降了约43%,但是在109极化反转后仍然保持了良好的抗疲劳特性;退火时间超过8.5min时,薄膜被击穿,铁电性能消失.

关键词: SBT铁电薄膜 , forming gas , reduction , degradation

氮氢混合气氛对SrBi2Ta2O9铁电薄膜和粉末性能的影响

王东生 , 于涛 , 胡安 , 吴迪 , 李爱东 , 刘治国

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00737

用金属有机物分解法分别制备了SrBi2Ta2O2(SBT)薄膜和粉末样品.XRD和SEM结果显示SBT粉末经历氮氢混合气氛400℃退火处理后发生了还原反应,金属Bj和δ-Bi2O3析出,成针状结构聚集在表面,晶体结构没有被破坏.SBT薄膜在500%退火处理时,表面出现Bi的球形及针状结构聚集体,相对于薄膜结构,SBT粉末中的Bi元素在较低温度时更容易被还原.Bi的大量缺失严重影响薄膜的铁电性能,当退火时间为5.5min时,SBT薄膜剩余极化强度Pτ下降了约43%,但是在109极化反转后仍然保持了良好的抗疲劳特性;退火时间超过8.5min时,薄膜被击穿,铁电性能消失.

关键词: SBT铁电薄膜 , 氮氢混合气氛 , 还原 , 退化

扫描透射电子显微镜(STEM)在新一代高K栅介质材料的应用

朱信华 , 李爱东 , 刘治国

无机材料学报 doi:10.15541/jim20140110

扫描透射电子显微镜(STEM)原子序数衬度像(Z-衬度像)具有分辨率高(可直接“观察”到晶体中原子的真实位置)、对化学组成敏感以及图像直观易解释等优点,成为原子尺度研究材料微结构的强有力工具.本文介绍了STEM Z-衬度像成像原理、方法及技术特点,并结合具体的高K栅介质材料(如铪基金属氧化物、稀土金属氧化物和钙钛矿结构外延氧化物薄膜)对STEM在新一代高K栅介质材料研究中的应用进行了评述.目前球差校正STEMZ-衬度的像空间分辨率已达亚埃级,该技术在高K柵介质与半导体之间的界面微结构表征方面具有十分重要的应用.对此,本文亦进行了介绍.

关键词: 扫描透射电子显微镜 , Z-衬度STEM像 , 高K柵介质材料 , 界面微结构 , 综述

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