李瀛
,
刘毅
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
宋雪梅
,
邓金祥
,
朱秀红
,
陈光华
功能材料
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
关键词:
氢化非晶硅
,
MWECR
,
CVD
,
氢含量
吴越颖
,
胡跃辉
,
阴生毅
,
荣延栋
,
王青
,
高卓
,
李瀛
,
宋雪梅
,
陈光华
功能材料
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
关键词:
a-Si:H薄膜
,
热丝
,
光敏性
,
沉积速率
周怀恩
,
朱秀红
,
胡跃辉
,
马占杰
,
张文理
,
李瀛
,
陈光华
功能材料
通过红外透射光谱研究了在光诱导退火中退火条件对氢化非晶硅薄膜的结构和光电特性的影响,实验所用样品采用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备.我们用桥键氢扩散模型来解释退火中的不同现象.样品的红外光谱在630和2000cm-1处的吸收系数有所增加,说明了原先的成键氢发生了移动和溢出,我们认为通过光诱导产生载流子的非辐射复合以及桥键氢和深俘获氢原子的交换,产生了大量的桥键氢原子,它们相互结合形成分子氢,氢溢出要优于氢团聚.
关键词:
氢化非晶硅薄膜
,
氢间隙扩散
,
微波电子回旋共振
,
傅立叶变换红外光谱
李瀛
,
陈光华
,
朱秀红
,
胡跃辉
,
宋雪梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.011
采用微波ECR CVD系统制备了a-Si:H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析.a-Si:H薄膜中氢的引入对薄膜的光学、电学性能有着极大的影响,它可以钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬挂键,降低薄膜的缺陷密度,从而显著提高薄膜稳定性.通过对沉积速率的研究发现,在有热丝辅助的情况下沉积速率明显提高,可达3 nm/s.实验证明,高温的热丝提高了工作气体的分解率,从而提高了薄膜的沉积速率.此外,在有热丝辅助的条件下制备出薄膜样品比没有热丝辅助条件下制备出的薄膜样品的氢含量低而且稳定性有了较大的改进.
关键词:
氢化非晶硅
,
微波ECR CVD
,
沉积速率
,
氢含量
