吴如意
,
赵雪
,
李清山
,
张梅
,
钟勇
,
李麟
上海金属
采用Gleeble-3500热/力模拟试验机测定了新开发的纳米析出高强度钢在1 300～ 600℃的力学性能.结果表明:随拉伸温度降低,试验钢的抗拉强度逐渐升高,在1 000 ～750℃之间拉伸时,断面收缩率出现低谷,1 000℃时塑性仍很低,此温度区间即为该钢的第三脆性区,750℃时的断面收缩率最低,而在1 100 ～1 250℃之间钢的塑性良好.金相显微组织观察和扫描电镜观察发现,钢的第三脆性区拉伸试样断面呈现沿晶断口特征,以脆性断裂为主,表明纳米析出高强度钢的高温强度高,钢的塑性低谷的温度范围宽,易在连铸连轧生产过程中产生裂纹等缺陷,给实际生产工艺带来困难,需要注意制造工艺设计.
关键词:
纳米析出
,
高强度钢
,
高温力学性能
,
热塑性
,
脆性区间
董艳锋
,
李清山
,
张立春
,
宋连科
中国稀土学报
采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上制备了Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜,分别在450,500,550和600℃条件下进行退火,退火气氛为真空.利用X射线衍射(XRD)仪和荧光分光光度计研究了退火温度对薄膜结构和光致发光(PL)的影响.研究结果表明,Eu3+,Li+共掺杂的ZnO薄膜具有c轴择优取向,Eu3+,Li+没有单独形成结晶的氧化物,均以离子形式掺入ZnO晶格中.PL谱中有较宽的ZnO基质缺陷发光,ZnO基质与稀土Eu3+之间存在能量传递,但没有有效的能量传递.随着退火温度的增加,薄膜发光先增强后减弱,退火温度为550℃时发光最强.当用395 nm的激发光激发样品时,仅观察到稀土Eu3+在594 nm附近的特征发光峰,但发光强度随退火温度变化不明显.
关键词:
ZnO:Eu3+
,
Li+薄膜
,
脉冲激光沉积
,
XRD
,
光致发光(PL)
,
稀土
李清山
,
黄朝滨
,
吴如意
,
赵雪
,
张梅
上海金属
通过用Gleeble-3500热机械模拟试验机对化学成分(质量分数,％)为:C 0.07,Si 0.05,Mn 1.8,Al 0.03,Ti 0.02,Cu 0.3,Cr 0.5,Nb 0.015,Ni 0.17的A钢的高温力学性能展开研究,以0.001s-1应变速率,在温度范围650 ～1 350 ℃之间做一组高温拉伸试验,测得抗拉强度和断面收缩率.结果表明:A钢整体呈现较好的塑性,塑性低谷区温度范围较小.在775～1 250℃之间,断面收缩率均高于70％,塑性良好,第Ⅲ脆性区在650～775℃之间,A钢在700～750℃存在明显的塑性低谷.第Ⅲ脆性区断裂主要为沿晶脆性断裂,这主要是由于铁素体沿奥氏体晶界析出所致.实际连铸生产过程中可以避开此脆性区间,矫直温度尽量高于800℃.
关键词:
800 MPa高强钢
,
连铸坯
,
热塑性
,
塑性低谷
韩坤
,
李清山
,
李健
,
孙慧珺
,
张梅
,
徐云峰
上海金属
doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2012.01.008
采用气体保护焊对试验钢CP800分别进行对接、斜Y、T型(角接)、CTS(搭接)焊接,测试分析不同焊接接头形式下的宏观形貌、微观组织和性能的变化,以研究CP800钢的可焊性和冷裂纹敏感性.实验结果表明:试验钢适用于各种焊接形式下的汽车结构件,具有很低的焊缝冷裂纹敏感性.焊接热影响区的组织为粒状铁素体、贝氏体以及少量的板条贝氏体,分布均匀,焊缝熔合良好.4种不同焊接方式下的焊缝硬度分布一致,最高硬度值为320 HV,小于350 HV.斜Y坡口对接接头处的母材、热影响区以及熔合区的冲击性能均大于23 J,其断口形貌均为韧窝形状.
关键词:
CP800钢
,
可焊性
,
焊缝冷裂纹敏感性
,
冲击性能
王晓静
,
李清山
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.06.005
多年来,人们对多孔硅的制备方法、微结构特征及其化学成分、发光特性以及发光机制等方面做了深入的研究和探讨,文章对这几个方面的研究工作做了介绍,并对目前的研究状况和应用研究中存在的问题进行了分析.制备出均匀性好、发光效率高、性质稳定、机械强度较高的多孔硅是促进其实用化进程的基本途径.人们对多孔硅进行大量研究的目的主要在于获得硅发光集成装置,另外多孔硅的应用研究也体现在光电子器件、光学器件和传感器件3个方面.多孔硅在微电子学、晶片机械加工、生物工艺学等领域也具有潜在的应用价值.
关键词:
多孔硅
,
制备方法
,
发光机制
,
应用
倪梦莹
,
李清山
,
李媛媛
,
王会新
,
曹小龙
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.014
制备Al/多孔硅/c-Si/Al结构的多孔硅发光二极管,利用其I-V特性关系,以及在不同温度下其I-V特性的变化,结合多孔硅的特殊微结构及性质,分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程;通过比较其发光猝灭前后J-V特性的变化,解释了发光猝灭的原因.提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合,是提高多孔硅电致发光效率的一个途径.
关键词:
发光二极管
,
多孔硅
,
I-V特性
,
电致发光
陈达
,
李清山
,
王璟璟
,
郑学刚
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.03.009
使用脉冲激光沉积技术制备了系列无氢类金刚石薄膜,测量了样品的Raman光谱、光吸收光谱和光致发光光谱,研究了薄膜结构和光致发光性质与制备条件的依赖关系.结果表明,这种薄膜是由少量sp2键和大量sp3键组成的非晶碳膜.薄膜的光学带隙在1.68～2.46 eV,发光在可见光区呈宽带结构.生长温度能够对类金刚石薄膜的结构和发光性质产生较大影响.当生长温度从室温升高至400 ℃时,sp2团簇的变大使C原子的有序度增强,从而导致薄膜的光学带隙变窄,发光峰红移且半高宽变小.
关键词:
类金刚石薄膜
,
脉冲激光沉积
,
拉曼光谱
,
光致发光
张利宁
,
李清山
,
潘志峰
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.04.025
在草酸和硫酸电解液中分别制备了孔径为40 nm和20 nm左右的多孔氧化铝模板,用直流电化学沉积的方法,在模板孔洞内电解沉积Zn,对其进行高温下的氧化,可得到高度有序的ZnO纳米线.扫描电子显微镜观察显示,多晶的Zn纳米线均匀地填充到多孔氧化铝六角排布的孔洞里,直径与模板孔径相当.X射线衍射谱测量证实,制备的Zn纳米线和ZnO纳米线均为多晶结构,并且对比了模板孔径对纳米线结构的影响.测量了多孔氧化铝厚膜和Zn/Al2O3组装体的吸收光谱,发现其在红外波段的吸收系数有逐渐降低的趋势.
关键词:
材料
,
ZnO纳米线
,
多孔氧化铝模板
,
电沉积
王彩凤
,
李清山
,
胡波
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.007
用脉冲激光沉积法在相同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon, PS)衬底上生长了ZnS薄膜和ZnO薄膜,在室温下对ZnS/PS和ZnO/PS的光学和电学性质进行了比较.结果发现,ZnS/PS和ZnO/PS在可见光区450～700 nm都有一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射,但ZnS/PS体系的白光发射性能要优于ZnO/PS体系的发光性能.从二者的I-V特性曲线来看,ZnS/PS异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性,而ZnO/PS异质结的整流特性与普通二极管不同,其反向电流不饱和.
关键词:
白光发射
,
光致发光
,
I-V特性曲线
,
硫化锌
,
氧化锌
,
多孔硅
