霍晓迪
,
陈兵
,
李知勋
,
李淳东
,
刘华锋
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163101.0058
为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺.利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致.实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿.采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能.
关键词:
干法刻蚀
,
侧面接触方式
,
过孔
,
液晶面板
,
低温多晶硅技术
蒋冬华
,
李淳东
,
李炳天
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112602.0170
在TFT-LCD阵列的四次掩模技术中,复合层刻蚀是非常难控制的一道工序,最突出的问题是在复合层刻蚀后信号线的两边有金属残留,金属残留会对之后的绝缘层产生影响,导致断层等不良.调整复合层刻蚀工艺是目前解决金属残留问题的通用方法,但是都没有根本地解决这个问题.文章通过研究信号线刻蚀时间对复合层刻蚀后金属残留的影响,认为通过调整信号线的刻蚀时间能够根本解决复合层刻蚀后金属残留的问题,并且不会使金属线线宽超出控制范围.
关键词:
四次掩模
,
复合层
,
刻蚀
,
信号线
,
金属残留
