姚博
,
方泽波
,
朱燕艳
,
陈圣
,
李海蓉
功能材料
采用分子束外延（MBE）方法在Si（001）衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压（C-V）测试时,发现样品在高频时积累端电容出现了很大程度的频率色散现象。为了解释这种现象,提出了样品中存在缺氧层的结构模型。对该模型等效电路阻抗表达式推导得到了电容-频率方程,并将此方程与实验数据进行拟合,得到的图形、变量参数表明,未完全氧化的插入层是高频MOS C-V测试出现频率色散现象的主要原因。因此认为要消除Er2O3栅介质积累端的频率色散效应,需要尽量减少或避免缺氧层的形成。
关键词:
Er2O3
,
高频C-V测试
,
高k栅介质
,
频率色散
常敬先
,
李海蓉
,
马国富
,
王鹏
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).037
在SOI基上制备光电纳米器件具有良好的光电集成应用前景,通过铜膜生长法在 SOI 基上制备了形貌为类针状的 Cu(OH)2前驱体纳米线,并采用热处理法600℃条件下成功制备了 CuO 纳米线。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X 射线衍射测试(XRD)对样品结构、形貌进行了表征。 SEM、TEM测试结果表明,Cu(OH)2前驱体纳米线结构一致,尺寸均匀,表面光滑。在 Cu(OH)2前驱体纳米线上二次生长的CuO 纳米线具有类蒲草状细长光滑的结构, CuO纳米线直径约为80~100 nm,长度约为10μm, CuO 纳米线结晶性良好。
关键词:
SOI
,
铜膜生长法
,
前驱体
,
热处理
,
CuO 纳米线
冷重钱
,
李海蓉
,
李尧
,
高鹏杰
功能材料
在indium-tin-oxide(ITO)玻璃上采用多源蒸发的方法制备了红荧烯(Rubrene)/TPD样品.由原子力显微镜(AFM)得到的表面形貌图显示Rubrene膜具有良好的均匀性.利用X射线光电子能谱仪(XPS)研究了两种材料表面和界面的电子态.由Rubrene/TPD的表面分析可知,C1s精细谱中有3个峰,最强的峰是由氧化造成的,而不是对应于芳香碳(284.55eV).空气中的O2和H2O扩散到样品里形成O1s峰.用氩离子束溅射剥蚀表面,随着时间的增长,芳香碳对应的峰越来越强,282.45和289.62eV处的峰则迅速消失,当溅射时间超过4920s时,在284.7eV处引入了一个新的峰,对应于C-N键.O1s峰迅速减弱是因为氧沾污的去除.N1s谱中的N-C键缓慢增强,到达界面附近时峰的强度变得稳定.C1s,N1s和O1s谱中都有峰发生化学位移.
关键词:
AFM
,
XPS
,
Rubrene/TPD表面及其界面
,
化学位移
