席忠红
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李海翼
低温物理学报
采用直流磁控溅射的方法，分别在Si（111）和玻璃基片上沉积A1N薄膜．利用X射线衍射仪、X射线能谱仪、台阶仪、原子力显微镜、分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪等分析薄膜的结构、组分、膜厚、形貌和光学性能．实验得到的样品为多晶六方相AlN，膜厚为720nm，含有少量的氧杂质．对A1N薄膜的光学性能的研究表明，样品在250-1000nm波长范围内具有较高的透过率；红外吸收谱以672cm。为中心形成一个很宽的红外吸收带；薄膜的禁带宽度约为5．94eV．
关键词:
AlN薄膜
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磁控溅射
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光学性能
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禁带宽度
