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H2气氛退火处理温度对磁控溅射ZnO薄膜光电性能的影响

马明 , 高传玉 , 周明 , 李保家 , 李浩华

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.15.030

在室温下,采用直流磁控溅射法,以载玻片作为衬底,淀积出ZnO薄膜.在常压H2气氛中,以不同温度对样品进行退火处理.结果表明,在退火温度为500℃时,样品具有最佳综合光电性能,其在360～960nm波长范围内的平均透光率为76.35％,方块电阻为6.3kΩ/□.

关键词: ZnO薄膜 , 退火温度 , 透光率 , 方块电阻