刘卫华
,
李有群
,
方文卿
,
周毛兴
,
刘和初
,
莫春兰
,
王立
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.011
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec.蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec.硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行.
关键词:
Si衬底
,
GaN
,
LED
,
理想因子
