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沉积温度对磁控溅射生长SrRuO_3薄膜结构和性能的影响

王宽冒 , 张沧生 , 李曼 , 周阳 , 王玉强 , 王侠 , 彭英才 , 刘保亭

人工晶体学报

采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO_3基片上制备了SrRuO_3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO_3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响.实验结果表明:当生长温度低于550 ℃时,SrRuO_3薄膜为多晶结构;当温度在550~650 ℃范围内变化时,SrRuO_3薄膜可以在SrTiO_3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5 mΩ·cm.

关键词: SrRuO_3 , 磁控溅射 , 外延薄膜

硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究

陈剑辉 , 刘保亭 , 赵冬月 , 杨林 , 李曼 , 刘卓佳 , 赵庆勋

材料导报

随着集成电路向超大规模的发展,Cu互连技术已成为硅工艺领域的热点话题,其关键技术之一--扩散阻挡层的研究越来越受到人们的关注.结合课题组阻挡层的研究工作,介绍了当前Cu互连技术中难熔金属及其氮(碳、硅、氧)化物、多层膜、三元化合物等各类扩散阻挡层材料的研究发展现状,论述了阻挡层的厚度问题、阻挡层研究过程中的分析表征方法以及当前Cu互连的理论研究现状,归纳并分析了阻挡层的失效机制.

关键词: Cu 互连 , 扩散阻挡层 , 失效机制

SrRuO3导电层对快速退火制备Pb(Zr,Ti)O3薄膜结构和性能的影响

王宽冒 , 刘保亭 , 倪志宏 , 赵敬伟 , 李丽 , 李曼 , 周阳

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,制备了Pt/Pb(Zr,Ti)O3(PZT)/Pt和SrRuO3(SRO)/PZT/SrRuO3(SRO)异质结电容器,并研究了快速退火条件下SRO导电层对PZT结构和性能的影响.XRD测试表明,两种结构电容器中的PZT薄膜均为钙钛矿结构,SRO/PZT/SRO、Pt/PZT/Pt均具有较好的铁电性和脉宽依赖性,5 V电压下两电容器的剩余极化强度Pr和矫顽电压Vc分别为28.3 μC/cm2、1.2 V和17.4 μC/cm2、2.1 V.在经过1010次翻转后,SRO/PZT/SRO铁电电容器疲劳特性相对于Pt/PZT/Pt电容器有了较大的改善,但SRO导电层的引入也带来了漏电流增大的问题.

关键词: 钌酸锶 , 锆钛酸铅 , 快速退火

非晶 Ti-Al 过渡层对 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器结构和性能的影响

赵冬月 , 刘保亭 , 郭哲 , 李曼 , 陈剑辉 , 代鹏超 , 韦梦祎

人工晶体学报

应用磁控溅射法在 Pt/Ti/SiO2/Si(001)衬底上制备 5 mm 厚超薄非晶 Ti-Al 薄膜作为过渡层,利用脉冲激光沉积法制备 Ba0.6 Sr0.4TiO3 薄膜,构造了 Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt(Pt/BST/Pt)和 Pt/Ti-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ti-Al/Pt(Pt/Ti-Al/BST/Ti-Al/Pt)结构的电容器,研究了 Ti-Al 过渡层对 Pt/BST/Pt 电容器结构及其性能的影响.实验表明,过渡层的引入有效地阻止了 Pt 电极和 BST 薄膜的互扩散,降低了 BST 薄膜氧空位的浓度,提高了铁电电容器的介电性能.当测试频率为 1 kHz、直流偏压为0 V时,介电常数由引入过渡层前的 530 增大到引入后的 601,介电损耗则由0.09减小到0.03.而且过渡层的引入有效地降低了 BST 薄膜的漏电流,使正负向漏电流趋于对称,在测试电压为5 V 时,漏电流密度由3.8×10-5 A/cm2 减小到 8.25 ×10-6 A/cm2.

关键词: BST 薄膜 , 非晶 Ti-Al 薄膜 , 过渡层 , 脉冲激光沉积

光照对BiFe0.95Mn0.05O3薄膜铁电和输运性质的影响

彭增伟 , 刘保亭 , 魏大勇 , 马继奎 , 王宽冒 , 李曼 , 赵光

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/ Ti/ SiO2/ Si(001)基片上制备了BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并构架了Pt/ SrRuO3/ BFMO/ Pt型电容器.X射线衍射(XRD)分析发现在650℃快速退火可以得到良好结晶质量的多晶薄膜.紫光入射到薄膜表面,电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生的光生载流子影响了退极化场的分布.研究表明,在紫光照射下,薄膜的漏电流密度变大,电导由5.1×10-7 S增大到6.63×10-7S.通过对暗电流密度的拟合发现,BFMO薄膜为欧姆导电机制.

关键词: 光照 , BiFe0.95Mn0.05O3薄膜 , 铁电性质 , 输运性质

Ti-48(at% )Al包晶合金中β/α相的过冷形核

李曼 , 薛祥义 , 胡锐 , 张铁邦 , 钟宏 , 李金山

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2012.2.001

采用电磁悬浮熔炼的深过冷凝固技术实现了Ti-48( at%) Al合金的深过冷,获得的最大过冷度为295K.采用红外测温仪记录实验过程的温度变化数据,OM技术观察不同过冷度下凝固合金的显微组织,结合深过冷凝固过程中的再辉行为分析了该合金的非平衡凝固路径.运用负熵模型、经典形核理论及瞬态形核理论,研究了Ti-48( at%)Al包晶合金中初生相与次生相的形核与过冷度之间的关系.通过对该合金熔体的β(bcc)相和α(hcp)相的临界形核功、稳态形核率、形核孕育时间和瞬态形核率的计算,并结合实验结果对β,α两相的形核进行了综合分析.结果表明,在~10K/s的较低冷速情况下,在整个过冷度(≤295K)范围内B(bcc)相总能作为初生相首先形核.

关键词: 形核 , 过冷度 , 再辉 , 初生相 , 次生相

双栅无结晶体管的击穿性能研究

王超 , 李悦 , 郭羽涵 , 李曼 , 郭宇锋

功能材料与器件学报

本文利用二维仿真器Medici对双栅无结晶体管的击穿特性进行模拟仿真,通过分析发生击穿时的电场分布和碰撞电离率积分,并结合碰撞电离理论,证明了双栅无结晶体管的击穿机理仍然是雪崩击穿.进一步通过分析沟道长度、沟道杂质掺杂浓度、栅极电压等参数对击穿电压的影响,研究双栅无结晶体管的击穿特性.结果表明双栅无结晶体管的击穿电压随着沟道长度和沟道掺杂浓度的增加线性增大,相反地,双栅无结晶体管的击穿电压随栅极电压的增加而略微减小.

关键词: 双栅无结晶体管 , 击穿电压 , 电场分布

碳纳米管/不锈钢纤维/尼龙6复合材料的制备与性能研究

张杨飞 , 李曼 , 白树林 , 聂凯 , 贾治勇

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.z1.023

采用预制母料法制备了碳纳米管/不锈钢纤维/尼龙6 (CNTs/SSFs/PA6)导电高分子复合材料,通过同轴传输线法、电压-电流法、拉伸试验、悬臂梁冲击等实验,测试并分析了材料的电磁屏蔽、电学和力学性能.研究发现:复合材料的电磁屏蔽效能随着不锈钢纤维含量的增加而增强,纤维含量在4wt%~6wt%时出现逾渗现象,纤维含量达到12wt%时,电磁屏蔽效能在30MHz~1.5GHz范围内均高于35dB;碳纳米管能加快导电通路形成,降低阈值附近体积电阻率;不锈钢纤维能增强材料的冲击强度,但是会降低材料的弹性模量,碳纳米管能增强材料的弹性模量,但是会降低材料的冲击强度.

关键词: 碳纳米管 , 不锈钢纤维 , 导电高分子 , 连续纤维预浸 , 电磁屏蔽

聚丙烯纤维及废弃陶瓷对低品级菱镁矿制氯氧镁水泥性能的影响

陈后维 , 章祥林 , 李曼 , 方辉 , 方有春

硅酸盐通报

本文以聚丙烯纤维、普通废弃陶瓷、工业氯化镁以及含39.12%活性氧化镁的低品级轻烧氧化镁制成了一种镁水泥基建筑墙体材料.采用正交试验确定了最佳配合比,并对聚丙烯纤维、废弃陶瓷复合增强剂对镁水泥干缩性能的影响进行了探讨.研究结果表明,纤维及陶瓷对镁水泥分别起到了增韧增强及骨架作用.其制品28 d干缩率仅为0.03%.

关键词: 聚丙烯纤维 , 废弃陶瓷 , 氯氧镁水泥 , 改性

(001)高度择优取向Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt异质结的结构及性能

郭哲 , 刘保亭 , 王军 , 李曼 , 张金平 , 娄建忠

人工晶体学报

采用射频磁控溅射法结合高真空后退火处理,在MgO(001)单晶基片上制备了Pt薄膜.应用脉冲激光沉积法在Pt/MgO上进一步生长了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜.借助X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪、LCR表研究了BST/Pt/MgO的结构和性能.研究发现,700 ℃真空退火可以保证Pt薄膜在MgO基片上实现(001)高度择优生长,以(001)Pt薄膜为模板,可以进一步获得(001)高度择优取向具有铁电性能BST薄膜.在100 Hz测试频率下,BST薄膜最大介电常数为1100、调谐率为81%、品质因数为21;在7 V的电压下,漏电流密度1.85×10-5 A/cm2,进一步分析表明,BST薄膜在0~2.6 V之间满足欧姆导电机制,在2.6~7 V之间满足普尔-弗兰克导电机制.

关键词: BST薄膜 , 脉冲激光沉积 , 导电机制

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