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传输电流法测量Bi222/Ag多芯高温超导带材的交流损耗

胡立发 , 周廉 , 王金星 , 张平祥 , 李成山 , 扬仕钟 , 何砚发 , 李景会

稀有金属材料与工程

利用传输电流法设计了一套高温超导体自场损耗测量系统,样品上负载的传输电流幅值可以达到100A,频率在0.5 Hz到1 000Hz之间任意可调.测量了Bi2223/Ag高温超导带材在77 K不同频率条件下的自场交流损耗.并将实验结果与Norris方程的预期值进行了比较.发现当传输电流的频率较低时,Bi2223/Ag的交流损耗主要是磁滞损耗;而当频率较高时耦合损耗不能忽略.

关键词: 交流损耗 , Bi2223/Ag , 传输电流法

Bi2223/Ag超导带背景场损耗和磁场响应特性研究

李景会 , 王金星 , 吴春俐 , 何砚发

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.021

采用改进的瓦特计技术,研究了在77K和低场范围内单芯和多芯Bi2223/Ag超导带的背景场损耗(包括表面损耗、磁滞损耗和耦合损耗)和在交变外磁场下的穿透电压与磁场响应特性.最小磁场小于1×10-4T.单芯带材和大块超导体的损耗一致,在整个磁场范围内损耗和磁场符合指数关系,Q∝Hn:当HHp时, n≈1.1,损耗主要是磁滞损耗.从单芯带材的损耗曲线我们得到了Bi2223相的Hc1≈6×10-4T.对于多芯带材而言,损耗由磁滞损耗和耦合损耗组成,耦合损耗起主要作用,损耗和磁场符合指数关系,Q∝Hn:当HHp时, n≈1.7, 损耗包括磁滞损耗和耦合损耗,耦合损耗占主要部分.在磁场小于1×10-4T的低场下,单芯和多芯带材损耗研究结果目前还未见报道.研究了超导体中穿透电压和外磁场的响应关系,给出了穿透电压和外磁场的关系曲线,结合超导体中的磁化强度变化过程对曲线给出了合理的解释.

关键词: 瓦特计技术 , Bi2223/Ag , 背景场损耗

Bi-2212超导圆筒初始粉制备

孙晶 , 宗曦华 , 何砚发 , 王轶南 , 李景会 , 王金星

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.042

为了提高应用于感应屏蔽型限流器的超导圆筒性能,也为了了解初始粉对部分熔融工艺参数,最终块材性能以及微观结构的影响.本文采用不同的初始粉制备工艺制备了Bi-2212初始粉,分析了初始粉的物相组成,碳含量,并应用部分熔融工艺烧制成超导块材.用扫描电镜观察了最终超导块材中的相和微观结构.标准的四引线法测得77K下自场的临界电流密度可超过1,000A/cm2.超导圆筒的临界电流达到200A.

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