李新元
,
冯楚德
,
李承恩
,
鲍军
无机材料学报
本文采用退火热处理及掺入La3+离子两种方法，利用高分辨透射电镜、选区电子衍射、X射线衍射等技术对B位离子有序结构与介电弛豫性能的关系进行分析．研究表明，B位离子有序化是直接提高弥散相变（DPT）程度的原因，其机理是离子扩散，存在扩散平衡．退火仅能提高有序度，无法改变有序区尺寸；通过La3+离子掺杂，可有效提高有序区域大小，由于是非化学计量比，造成Nb5+离子在无序区中过度富集，形成焦绿石相．
关键词:
弛豫铁电体
,
null
,
null
,
null
喻佑华
,
冯楚德
,
杨毅
,
李承恩
,
晏海学
无机材料学报
综合运用 ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＥＤＳ和介电测量等方法，考察了一步预煅烧法和二步预煅烧法等前驱体制备途径对Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＦＮ）－Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＭＮ）二元系铁电陶瓷显微结构和介电性能的影响．研究结果表明，对（１－Ｘ）ＰＦＮ－ＸＰＭＮ二元系而言，在所考查的组成范围内（Ｘ＝０～０.５）；其居里温度与ＰＭＮ的含量近似成线性关系，且随Ｘ的增加，居里温度向低温方向移动.峰值介电常数随Ｘ的增加而降低．（预）煅烧和烧结条件对显微结构和介电性能都有不可忽视的影响．对用一步预煅烧法和二步预煅烧法得到的样品的介电性能和其他性能进行了比较，并对其差异产生的可能机制进行了讨论．
关键词:
铌铁酸铅
,
PMN
,
precursor
,
binary system
,
microstructure
,
dielectric property
贺连星
,
李承恩
功能材料
用XRD、SEM、ESR结合常规电性能测试手段,研究了锰掺杂对两类大功率PZT材料微结构及压电性能的影响.结果表明:随着锰含量的增大,三角晶相含量增多,准同型相界相应向四方相移动.锰在PZT材料中主要以Mn2+和Mn3+的方式共存.锰在PZT陶瓷材料中"溶解度"约为1,5mol%.添加少量的锰有利于PZT材料晶粒的长大及压电性能的改善,而过量的锰则会在晶界积聚,抑制晶粒的长大,并使材料的压电性能恶化.对两类大功率材料PZTS和PZTM而言,锰的最佳添加量分别为0.75mol%及0.25mol%.
关键词:
锰掺杂
,
大功率PZT
,
压电性能
贺连星
,
李承恩
无机材料学报
研究了锰掺杂对ＰＺＴ材料微结构及压电性能的影响，并用ＥＳＲ确定了锰在ＰＺＴ材料中的价态．结果表明，锰在ＰＺＴ材料中主要以 Ｍｎ２＋和 Ｍｎ３＋的方式共存．锰在ＰＺＴ陶瓷材料中的“溶解度”约为１．５ｍｏｌ％．锰含量＜０．５ｍｏｌ％时，Ｍｎ将以Ｍｎ２＋和Ｍｎ３＋的方式优先进入晶格 Ｐｂ位，使材料的压电性能提高，表现出施主杂质特性；锰浓度处于 ０．５～１．５ ｍｏｌ％时，部分Ｍｎ将以Ｍｎ３＋或Ｍｎ２＋的方式进入晶格中（Ｚｒ；Ｔｉ）位，而此浓度范围内锰掺杂的ＰＺＴ材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性．锰含量＞１．５ｍｏｌ％时，过量的Ｍｎ将在晶界积聚，使压电活性降低．少量Ｆｅ的存在，可使Ｍｎ离子的溶解度降低，并起到抑制Ｍｎ２＋和 Ｍｎ３＋氧化的作用.
关键词:
锰掺杂
,
PZT
,
piezoelectric properties
傅剑
,
李承恩
,
赵梅瑜
,
姚烈
,
周家光
,
陈建和
材料导报
介绍了国内外在PZT压电陶瓷材料低温烧结方面的研究进展.并对降低PZT压电陶瓷材料烧结温度的各种方法进行了评逑.
关键词:
低愠烧结
,
PZT
,
压电陶瓷材料
,
烧结助剂
,
热压烧结
,
颗粒度
喻佑华
,
姚文龙
,
杨毅
,
冯楚德
,
李承恩
无机材料学报
用XRD法系统地研究了PFN-PMN二元系中钙钛矿相的前驱体FeNbO4（FN）-MgNb2O6（MN）煅烧过程中的物相变化。发现,富镁的前驱体混合物在较高的煅烧温度下有富镁的Mg4Nb2O9（M4N）生成,而富铁的前驱体混合物中FN的生成,有利于抑制M4N的形成.M4N的形成与钙钛矿相煅烧产物中烧绿石相的出现有密切的关系.在MN与FN二种前驱体中,MN在大约650℃时即开始生成,而FN则需至800℃才开始生成,表明较低温度下Fe2O3的反应活性不及MgO的反应活性。
关键词:
前驱体
,
calcination
,
MgNb2O6
,
FeNbO4
,
perovskite
