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SiC@OCP发泡剂用于制备以赤泥和瓷砖废料为原料的多孔陶瓷

李丽霞 , 逯鹏 , 丁锐 , 姚奇恒 , 刘俊成 , 袁东峰 , 李成峰

硅酸盐通报

在改性的Pechini工艺中添加聚乙二醇(PEG)后在碳化硅颗粒表面沉积磷酸八钙(OCP)制备得到SiC@OCP发泡剂.PEG的分子量对制备的SiC@OCP发泡剂的物相、形貌和烧成性能都有影响.在含11wt%赤泥和47wt%瓷砖废料的原料中加入SiC或SiC@OCP发泡剂,经配料、压制和烧成工艺制备得到多孔陶瓷.以SiC@OCP为发泡剂制备的多孔陶瓷的体积变化率、开孔孔隙率和吸水率要远低予以SiC为发泡剂制备的多孔陶瓷,这与多孔陶瓷内孔结构的调控机制,即OCP包裹后对SiC的高温氧化行为产生影响有关系.研究所获得的结果为多孔陶瓷发泡剂的制备、赤泥和瓷砖废料的综合利用提供有益的参考.

关键词: 碳化硅@磷酸八钙 , 发泡剂 , 多孔陶瓷 , 瓷砖废料 , 赤泥

水热条件下纳米级球状羟基磷灰石的制备

张爱娟 , 高增丽 , 王卫伟 , 李成峰

硅酸盐通报

本文以Ca(NO3)2·4H2O和(NH4)2HPO4为原料水热条件下合成了羟基磷灰石晶体.研究了水热温度,保温时间,pH值,溶液浓度对合成羟基磷灰石晶体的影响,并借助X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜( SEM)对合成的羟基磷灰石进行了物相组成、化学组成、微观形貌的研究.结果显示,pH值对合成羟基磷灰石形貌有决定性的影响,调节pH值为5、7、8、9、10,羟基磷灰石形貌经历了长棒状、短棒状、球状的变化.确定pH值为10,正交试验研究其它三个因素对球状羟基磷灰石粒径的影响,三因素影响顺序依次为:初始溶液浓度>保温对间>水热温度.正交试验同时得到合成粒径小活性高的HA晶体的最佳工艺条件组合为:k2k1k3,即水热温度为140℃,保温时间为1d,初始溶液浓度为0.5 mol/L.

关键词: 羟基磷灰石 , 正交试验 , pH值

二氧化硅@羟基磷灰石颗粒的制备及其药物装载与体外释放行为研究

李成峰 , 王燕云 , 杜健 , 陆昊 , 葛筱璐

人工晶体学报

以改性的St(o)ber方法制备二氧化硅核心颗粒,并用改性的Pechini方法在其表面沉积羟基磷灰石壳层,制备得到具有核壳结构的二氧化硅@羟基磷灰石颗粒.通过扫描电子显微镜、X射线衍射分析和红外光谱分析手段表征颗粒的物相和结构,确定颗粒的形成机制为羟基磷灰石壳层在聚乙二醇-柠檬酸作用下均匀地沉积在非晶态二氧化硅表面.含亚甲基蓝的二氧化硅@羟基磷灰石药物颗粒在磷缓冲液(pH =7.2 ~7.4)和lysosome-like缓冲液(pH=4.7)中的释放行为表明药物释放对颗粒结构和溶液的pH值非常敏感.

关键词: 药物载体 , 羟基磷灰石 , 二氧化硅 , 核壳结构 , 药物释放

含布洛芬的碳酸钙@磷酸八钙颗粒的制备及药物释放行为?

李成峰 , 陆昊 , 杨丽爽 , 方艳峰 , 杨赞中

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.10.017

采用气相扩散法制备得到含布洛芬的碳酸钙(CaCO3-IBU)微球,并通过 Pechini 工艺沉积磷酸八钙(OCP)壳层后制备得到含 IBU 的碳酸钙/磷酸八钙(CaCO3-IBU@OCP).IBU 的添加量对 CaCO3-IBU 的物相和形貌有显著影响,这因为 IBU 的电离消耗 OH-离子,从而对 CO2气体的溶解、CO2-3离子的产生和 CaCO3-IBU的结晶行为都产生影响.在磷缓冲液(pH 值=7.2~7.4)和 lysosome-like 缓冲液(pH 值=4.7)中 IBU 自CaCO3-IBU@OCP颗粒内释放的行为对溶液pH 值和OCP壳层结构(受柠檬酸、聚乙二醇及其分子量因素影响)敏感,这与IBU分子与CaCO3的作用机制及壳层内键合分子的位阻作用对IBU的扩散产生阻碍有关.

关键词: 碳酸钙 , 磷酸八钙 , 布洛芬 , 药物载体 , 核壳结构

不同条件下碳酸羟基磷灰石的合成及吸附性能研究

张爱娟 , 王卫伟 , 李成峰

硅酸盐通报

本实验采用离子共沉淀法,通过改变CO2-3引入方式和引入顺序,合成了4种存在CO2-3部分取代的碳酸羟基磷灰石(CHA).利用X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)对合成的碳酸羟基磷灰石进行了物相组成、化学组成、微观形貌的分析.结果显示,4种样品均为存在CO2-3部分取代的碳酸羟基磷灰石,且CO2-3的取代方式包含A型和B型两种取代,取代量从大到小的顺序为样品2、1、3、4.取代量的大小反映了碳酸羟基磷灰石晶格畸变的程度,进而影响其吸附性能,本实验比较了4种碳酸羟基磷灰石对水溶液中铜离子吸附能力的大小.结果显示,4种样品的Cu2+去除率均远远高于标准羟基磷灰石,其中以样品2最为突出,达到99.42%.

关键词: 羟基磷灰石 , 碳酸羟基磷灰石 , A/B型取代 , Cu2+吸附

多热源SiC合成炉温度场变化规律的模拟与计算

王晓刚 , 郭继华 , 李成峰

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.031

碳化硅合成炉具有平面非稳态有内热源的温度场特点,利用ANSYS软件对多热源炉进行温度场数值计算.以面为对象分析了单个热源对整体温度场的贡献,以点为对象研究了面的中心点温度随时间的变化规律,以线为对象研究了面的中心线的温度随距离的变化规律.研究发现温场的叠加和热源之间的屏蔽是多热源炉节能降耗增产的原因.

关键词: 多热源 , SiC , 温度

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