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李成基 , 李韫言 , 王万年 , 何宏家
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.006
建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差.
关键词: 半绝缘砷化镓 , Hall测量 , 电阻率 , 迁移率
李韫言 , 蔚燕华 , 李成基
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.008
在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体.用阴极荧光形貌观测了其多晶结构.
关键词: 砷化镓 , 汽泡 , 俄歇分析 , 阴极荧光
王万年 , 李成基 , 李韫言
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.007
计算了变加速电压的束感生电流法测定扩散长度理论公式,并用电子探针和扫描电镜测量了各种GaAs材料的扩散长度.
关键词: GaAs , 扩散长度 , 加速电压 , 电子束感生电流
