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原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展

李惠琴 , 陈晓勇 , 王成 , 穆继亮 , 许卓 , 杨杰 , 丑修建 , 薛晨阳 , 刘俊

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.012

原子层沉积( ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理,介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展,涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域,对ALD技术当前存在的问题进行了分析,并展望了未来发展方向。

关键词: 原子层沉积 , 薄膜技术 , 高深宽比结构 , 纳米多孔结构 , 微纳结构器件

铁电薄膜及其在存储器件中的应用研究现状

李惠琴 , 刘敬松

材料导报

概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状,将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较,针对铁电薄膜在存储器中的应用,探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题,指出了当前研究的重点.

关键词: 铁电薄膜 , 工艺 , 疲劳

外延生长四方相Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜

刘敬松 , 李惠琴 , 曹林洪 , 徐光亮

人工晶体学报

以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜.X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZTⅡ(001)[010]SROⅡ(001)[010]LAO.虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相.对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流.氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降.电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降.当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降.

关键词: 外延生长 , Pb(Zr0.65Ti0.35)O3薄膜 , 射频磁控溅射 , 漏电流 , 损耗

铌镁酸铅陶瓷的稀土元素及钛酸铅互掺改性研究

李惠琴 , 刘敬松

人工晶体学报

本文采用了铌铁矿法,研究了稀土元素及钛酸铅(PT)的掺入对铌镁酸铅(PMN)铁电陶瓷的介电性能及拉曼行为的影响.分别掺入Y2O3 、Sin2O3、La2O3稀土氧化物后,PMN的介电常数峰值(εm)有所下降,而掺人PT后εm有所上升.稀土元素的掺人使相转变温度(Tm)朝远离居里点的低温方向移动,室温下的介电损耗值减小,介电常数频率稳定性得到增强.PT的掺入使Tm朝接近居里点的高温方向移动.拉曼光谱研究表明稀土元素、PT的掺人影响了PMN陶瓷的B位有序度,导致其介电性变化.

关键词: 铌镁酸铅 , 稀土掺杂 , 介电性能 , 相变弥散 , B位有序度

中国黄金集团公司融资创新研究与实践

李惠琴

黄金 doi:10.11792/hj20141001

在充分分析国有企业融资现状的基础上,结合中国黄金集团公司融资战略研究,研究提出了股债交替与孵化注资相结合的融资方式。通过拓宽融资渠道和创新融资方式及融资战略的实施,取得了很好的融资效果,为企业的健康、持续和快速发展提供了支持和保障,同时为国家经济发展做出更大的贡献。

关键词: 融资 , 股债交替 , 孵化注资 , 债券

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