李树奇
,
刘士国
,
孔勇发
,
阎文博
,
刘宏德
,
邓东灵
,
高光宇
,
李彦波
,
高宏臣
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.009
我们在同成份铌酸锂晶体中掺入四价离子铪,生长了掺杂浓度分别为2、4、6mol%的掺铪铌酸锂系列晶体.掺铪浓度达到4mol%时,晶体的抗光损伤能力为5×105W/cm2,比同成份纯铌酸锂晶体提高了4个数量级.应用全息法测得掺4、6mol%铪的铌酸锂晶体最大折射率变化为8.7×10-6,与高掺镁(6.5mol%)铌酸锂晶体的类似.晶体的红外吸收谱和紫外-可见光吸收谱也显示,掺杂浓度为4mol%时具有明显的阈值特征.由此可以确定铪离子在铌酸锂晶体中的阈值浓度约为4mol%.
关键词:
掺铪铌酸锂晶体
,
抗光折变
,
阈值
,
吸收光谱
李彦波
,
刘超
,
张杨
,
曾一平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.01.005
由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间.本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述,并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景.
关键词:
锑化物半导体
,
高电子迁移率晶体管
,
HEMT
,
ABCS
,
研究进展
