欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(8)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

近红外光学带隙硅三维光子晶体的制备

李宇杰 , 谢凯 , 许静 , 龙永福

材料导报

用溶剂蒸发法将单分散SiO2微球组装成三维有序结构的胶体晶体模板,用低压化学气相沉积法填充高折射率材料硅,酸洗去除SiO2模板,获得了硅反蛋白石三维光子晶体.通过扫描电镜、X射线衍射仪和紫外-可见-近红外光谱仪对硅反蛋白石三维光子晶体的形貌、成分、结构和光学性能进行了表征.研究结果表明:Si在SiO2微球空隙内具有较高的结晶质量,填充致密均匀;通过控制沉积条件,可控制硅的填充率;制备的硅反蛋白三维光子晶体在近红外区(1.4μm左右)具有明显的光学反射峰,表现出光学带隙效应,测试的光学性能与理论计算基本吻合.

关键词: 硅反蛋白石 , 光子晶体 , 低压化学气相沉积 , 溶剂蒸发法

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的晶体缺陷及其控制

介万奇 , 李宇杰

功能材料

围绕作者所在课题组近年来的研究工作,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长过程中的各种结构缺陷及其形成机理.从晶体生长过程和后续的热处理过程两个方面指出了晶体缺陷的控制原理和方法.

关键词: Ⅱ-Ⅵ族化合物 , 碲锌镉 , 晶体生长 , 退火改性 , 晶体缺陷

Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析

王泽温 , 介万奇 , 李宇杰 , 谷智

功能材料

采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.

关键词: Hg1-xMnxTe , 范德堡法 , 导电类型 , 霍尔系数

PECVD制备嵌埋在硅槽中的硅反Opal结构

韩喻 , 谢凯 , 李宇杰 , 许静

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.016

摸索了利用PECVD方法制备嵌埋于硅槽中Si反Opal结构的工艺条件,探索性研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间和Opal基底状态对填充效果的影响.结果显示射频功率越小,流量越低,反应室压力越大,则反应速率越低,Opal结构内外填充越均匀.同时,在[SiHm]自由基扩散通道不被堵塞的前提下,沉积时间越长,Opal结构排列越规整,则整体填充越致密,越有利于反Opal结构的形成.

关键词: PECVD , 反Opal结构 , Si凹槽

电化学沉积制备二氧化钒反蛋白石光子晶体

许静 , 李宇杰 , 李运鹏

人工晶体学报

通过电化学沉积方法向PS胶体晶体模板缝隙中填充五氧化二钒,焙烧去除模板后,在真空度小于10-2Pa,温度510℃下退火12 h,得到具有特定应用价值的二氧化钒反蛋白石(opal)光子晶体.用扫描电镜观察样品的微观形貌,用X射线衍射分析样品成份.实验结果表明,通过电化学沉积制备出的二氧化钒反蛋白石光子晶体,相变电阻突变数量级在2~3之间,相变温度62℃左右.

关键词: 电化学沉积 , 真空退火 , 二氧化钒 , 光子晶体 , 反蛋白石

Hg1-xMnxTe晶体在ACRT-B法生长过程中的溶质再分配

介万奇 , 李宇杰 , 刘晓华

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z1.105

基于对溶质传输特性的定量估算,确定了Hg1-xMnxTe晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏析的计算.结果表明,在ACRT-B法生长的Hg1-xMnxTe e晶体中由于分凝Mn含量在初始区远高了平均值,随后逐渐降低.未端溶质含量则远低于平均值.只在晶锭中部很小的范围获得满足成分要求的晶段.而采用偏离理想成分配比的配料也能获得满足成分要求的晶段,并且在一定成分范围内随配料成分的降低,该晶段增大,其位置向结晶质量更高的初始区移动.欲生长x=0.11的Hg1-xMnxTe晶体,推荐采用x0<0.11的配料成分.在计算的基础上,采用直径Φ5mm的Hg0.89Mn0.11Te晶锭进行了ACRT-B晶体生长实验研究.通过电子探针成分分析获得了沿晶体长度的成分分布.在晶锭的主要区段,实验结果与计算结果一致.仅在初始区实验结果低于实验值,未端区高于实验值.分析认为这是由于计算模型中关于液相中溶质均匀混合的假设在初始区和未端区不满足造成的.

关键词: HgMnTe , 晶体生长 , 布里奇曼法 , ACRT , 溶质再分配 , 偏析

Hg1-xMnxTe晶体的生长及电学性能

李宇杰 , 刘晓华 , 介万奇

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.04.008

利用ACRT-VBM法生长Hg1-xMnxTe晶体,并对所得晶体作出宏观和微观质量评价.为改善晶体的电学性质,将生长态的晶体在低温下长时间退火,实现了晶片的反型. Hall电测量的结果表明位错的数量、分布及富Te相、晶界、杂质等的存在都对晶体的电学性质有显著的影响.

关键词: Hg1-xMnxTe , 宏观质量评价 , 微观质量评价 , 低温退火 , Hall电测量

中红外完全光子带隙Ge反蛋白石三维光子晶体的制备

李宇杰 , 谢凯 , 许静

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.05.013

采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板.以锗烷(GeH4)为先驱体气,用等离子增强化学气相沉积法向胶体晶体的空隙中填充高折射率材料Ge.酸洗去除二氧化硅微球,得到Ge反蛋白石三维光子晶体.通过扫描电镜、X射线衍射仪和傅里叶变换显微红外光谱仪对锗反蛋白石的形貌、成分和光学性能进行了表征.结果表明: Ge在SiO2微球空隙内填充致密均匀,得到的锗为多晶态,锗反蛋白石为三维有序多孔结构.锗反蛋白石的测试光谱图有明显的光学反射峰,表现出光子带隙效应.测试的完全光子带隙位于中红外3.4μm处,测试的光学性能与理论计算基本吻合.

关键词: 光电子学 , 锗反蛋白石 , 光子晶体 , 完全光子带隙 , 等离子增强化学气相沉积 , 溶剂蒸发对流自组装 , 中红外

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词