周红
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应鹏展
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崔教林
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王晶
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高榆岚
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李亚鹏
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李奕沄
稀有金属材料与工程
利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究.物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13 eV,比In2Se3合金的低.电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0 μV·K-1降低到263.0 μV·K-1,而电导率则随温度迅速增大.在818 K时,其电导率达到最大值2.92× 103 Ω-1·m-1,热导率为0.50 W.K-1·m-1,最高热电优值ZT值达到0.33.
关键词:
CuIn5Se8
,
宽带隙半导体
,
热电性能
崔教林
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张晓军
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李奕沄
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高榆岚
稀有金属材料与工程
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料.但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32 eV减小到1.14 eV.掺杂后电学性能得到了大幅度的改善.最大功率因子由0.76×10-4增大到2.8×10-4 W·m-1·K-2；最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63.高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织.在温度高于500 K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系.
关键词:
α-In2Se3基半导体
,
禁带宽度(Eg)
,
热电性能
