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界面无氧化膜条件下氮化硅陶瓷和铝溶液的反应

李国才 , 宁晓山 , 陈克新 , 周和平

稀有金属材料与工程

采用一种新的界面无氧化方法,将氮化硅陶瓷浸入铝熔液后移动以除去界面氧化膜,采用X射线衍射、扫描电子显微镜及透射电子显微镜等方法研究氮化硅陶瓷和铝熔液之间的界面反应.研究结果表明,该方法能够有效除去界面氧化膜,使铝和氮化硅陶瓷直接反应生成AlN,但反应很缓慢,明显慢于Si_3N_4/Al薄膜体系以及压实的氮化硅-铝混合粉末体系的反应,界面存在着未反应、铝原子直接生长于氮化硅晶体之上的界面的连接状态.氮化硅陶瓷与铝的直接反应一方面会破坏氮化硅晶格结构,使氮化硅陶瓷腐蚀,缩短使用寿命;另一方面却可促进氮化硅和铝的润湿及连接,有利于制备高性能复合材料.

关键词: 界面反应 , 氮化硅陶瓷 ,

明胶作为铜电解添加剂的研究与实践

张源 , 李国才

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.015

明胶是影响阴极铜质量的关键因素.本文定义了铜电解中明胶对阴极铜作用强度为P=[(1/Rn)2+(1/σ)2]1/2,用GFC法分析了明胶的分子量及多分散度.用霍尔试验得出了明胶的作用强度和时间及温度的关系.提出了明胶的作用强度受明胶的分子量、多分散度的影响,并依此机理将传统的添加剂配方进行了改进.

关键词: 铜电解 , 明胶的作用机理 , 作用强度 , 分子量 , 多分散度

金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线及应用

范绪阁 , 李国才 , 程超群 , 胡杰

应用化学 doi:10.3724/SP.J.1095.2013.30048

金属辅助化学刻蚀是近些年发展起来的一种各向异性湿法刻蚀,利用该方法可以制备出高长径比的半导体一维纳米结构.本文综述了金属辅助化学刻蚀法可控制备硅纳米线的最新进展,简要概述了刻蚀的基本过程与机制,重点阐述了基于不同模板的金属辅助化学刻蚀可控制备高度有序、高长径比的硅纳米线阵列的具体流程与工艺,并介绍了其在锂离子电池、太阳能电池、气体传感检测和仿生超疏水等方面的潜在应用,探讨了目前存在的问题及其今后的研究发展方向.

关键词: 硅纳米线 , 金属辅助化学刻蚀 , 可控制备 , 模板 , 锂离子电池

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