冯庆荣
,
曹科
,
徐军
,
郭建栋
,
王昕
,
熊光成
,
高政祥
,
徐洪清
,
佘冬玲
,
蔡杉
,
李占一
,
董妍
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.02.004
MgB2纤维超导体样品在750℃和850℃下被制备了出来,将它们与950℃下制备的MgB2纤维超导体样品相比较,具有了能弯曲的能力,不再像950℃下制备的样品那么脆而易断,不能弯曲.扫描电镜图像的观察表明750℃和850℃下制备的MgB2纤维超导体的结构是一层数百纳米厚的MgB2的薄膜生长在了硼纤维表面.由于硼纤维中绝大部分单质硼的存在,使750℃和850℃下制备出的MgB2纤维超导体样品具有了弯曲能力.
关键词:
蔡杉
,
李占一
,
董妍
,
颜鸣皋
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2005.03.008
采用单一Weibull统计分布函数来描述CVD纤维抗拉强度的分散性,发现具有不同断裂机制的缺陷所引发的断裂其拉伸强度分布分别符合Weibull分布,并具有各自独特的形态和参数;对热压复合前后的纤维的抗拉强度分布特征进行分析比较,结果表明热压复合过程对纤维的性能及抗拉强度分布特征有一定的影响,这主要是因为热压改变了纤维内部缺陷的类型和分布.另外还就以上研究结论在纤维的生产及其产品的性能表征方法、纤维增强金属基复合材料性能的非破坏性评估方法上的应用进行了讨论.
关键词:
CVD纤维
,
金属基复合材料
,
缺陷类型
,
热压
,
Weibull分布
蔡杉
,
李占一
,
董妍
,
颜鸣皋
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2006.02.006
对SiC纤维的CVD涂层工艺进行研究.实验发现采用BCl3,H2及CH4作为反应气体,采用与SiC纤维生产工艺相匹配的走丝速度并控制一定的工艺参数,在1350℃左右可得到厚度2～3mm且表面致密的B4C涂层,纤维涂层后性能基本保持不变.仅采用BCl3及CH4作为CVD涂层工艺反应气体,在1180～1250℃即可沉积出表面光滑致密,厚度2～3mm的富碳B4C涂层,涂层后纤维性能可提高10%左右,且涂层与纤维结合强度很高,优于B4C涂层与SiC纤维的结合强度.实验还发现SiC纤维涂覆B4C及富碳B4C涂层后,能有效阻隔界面反应,可大幅提高SiC/Ti基复合材料的性能.
关键词:
SiC纤维
,
B4C涂层
,
富碳B4C涂层
,
CVD工艺
蔡杉
,
李占一
,
董妍
,
颜鸣皋
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2005.10.012
对SiC纤维的直流电阻加热CVD工艺进行了研究,实验采用将两种硅烷的比例混合液体通过液体流量计计量供液并即时完全汽化后与氢气混合输入到反应管并在水冷水银封入气口通入顶吹氢的供气方案,从而简化了工艺并解决了反应气体冷凝问题.在CVD工艺研究中发现影响纤维沉积质量的因素主要有沉积温度、反应气体组分及流量、走丝速度等工艺参数,此外还发现直流电阻加热CVD工艺中,反应管前后存在约200℃的温差,采用双沉积室工艺可减缓温差.在一定的沉积参数下,可沉积出直径60～100μm、抗拉强度3100～4080MPa的SiC纤维.
关键词:
直流电阻加热
,
SiC纤维
,
CVD工艺
蔡杉
,
佘冬苓
,
董研
,
李占一
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2002.06.004
概述了国外碳化硅连续纤维增强钛基复合材料的研制、性能及应用情况,并对箔压法制备SiCf/Ti复合材料的工艺及材料性能进行了研究.结果表明,本研究采用FFF法制作的SiCf/Ti复合板材性能达到国外同类材料水平.此外,本研究还对SiCf/Ti复合材料各主要制作工艺进行了分析比较,认为真空等离子喷涂工艺是较有前途的.
关键词:
SiCf/Ti复合材料
,
涂层
,
热压
,
等离子喷涂
蔡杉
,
李占一
,
董妍
,
颜鸣皋
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2006.06.012
对带(B4C+C)涂层的SiC纤维增强Ti-153复合材料的界面反应进行热力学分析,并对界面反应层做能谱成分分析及X-射线衍射结构分析.结果表明,界面反应层为TiC,TiB2和TiB相的组合物.采用不同的热压工艺制备复合材料并分别进行拉伸实验及扫面电镜观察,从而得出不同界面结合状态与拉伸性能之间的关系.对经不同时间的热处理具有不同界面反应层厚度的复合材料进行拉伸实验,结果表明,随着反应层厚度的增加复合材料性能下降.
关键词:
SiC/Ti复合材料
,
界面反应
,
拉伸性能
