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一个实用的生产用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料Turbo-Disc MOCVD生长模型

王浩 , 廖常俊 , 范广涵 , 刘颂豪 , 郑树文 , 李述体 , 郭志友 , 孙慧卿 , 陈贵楚 , 陈炼辉 , 吴文光 , 李华兵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.018

在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的.针对Turbo-Disc 反应体系,分析了Turbo-Disc 的传热以及质量传送模式后, 建立了Turbo-Disc的生长模型.在此模型中建立了输入反应室的参数(IPs)和边界层的生长参数的关系.在对组分匹配的GaInP/GaAs 三组分生长体系进行分析时,发现此模型是非常有效的,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合.应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层.

关键词: MOCVD , Turbo-Disc , 生长动力学 , GaInP

多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

王浩 , 廖常俊 , 范广涵 , 刘颂豪 , 郑树文 , 李述体 , 郭志友 , 孙慧卿 , 陈贵楚 , 陈炼辉 , 吴文光 , 李华兵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.021

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果.对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量.涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测.并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量.

关键词: MOCVD , 双晶衍射 , GaAlInP , 拟合

疏水基含量和微嵌段长度对缔合聚合物溶液弹性的影响

张新民 , 郭拥军 , 柳建新 , 冯茹森 , 胡俊 , 李华兵 , 赵丹 , 张建 , 吕鑫

应用化学 doi:10.3724/SP.J.1095.2013.20439

研究了疏水基含量和微嵌段长度对缔合聚合物,聚(丙烯酰胺-丙烯酸钠-十六烷基二甲基烯丙基氯化铵)[P(AM-NaAA-C16DMAAC)],弹性行为的影响规律.研究结果表明,对于结构类似且具有相近零剪切粘度的缔合聚合物,疏水基含量越高,聚合物分子链间形成稠密网络结构的疏水缔合能力越强,其第一法向应力差N1越大,N1出现拐点处对应剪切速率越小,缔合聚合物溶液弹性越好;并且缔合聚合物溶液的弹性随着疏水微嵌段长度的增加先增加后降低,存在最佳微嵌段长度.因此,可以通过调整分子结构有效改变缔合聚合物溶液的弹性行为.

关键词: 缔合聚合物 , 弹性 , 法向应力差 , 粘度

不同类型表面活性剂对纳米SiO2流体粘度的影响

宋汝彤 , 郭立娟 , 郭拥军 , 冯茹森 , 张新民 , 胡俊 , 李华兵

应用化学 doi:10.3724/SP.J.1095.2014.30623

系统地研究了不同类型的表面活性剂对低浓度纳米SiO2流体粘度的影响规律,并在此基础上深入探讨了不同碳链长度的阳离子和非离子表面活性剂对纳米SiO2流体粘度的影响.结果表明,阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)对纳米流体粘度的影响较小,其相对粘度值维持在1.23左右;而阳离子表面活性剂十四烷基三甲基溴化铵(TTAB)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十八烷基三甲基溴化铵(OTAB)、十六烷基氯化吡啶(CPC)、非离子表面活性剂OP-8、OP-10和两性离子表面活性剂DXS14、DXS18对纳米流体粘度的变化影响较大,其最大相对粘度值分别能达到3.42、1.82和8.87.同时也发现,阳离子表面活性剂碳链越长,纳米流体最高粘度值越大,且纳米流体最高粘度所对应的表面活性剂浓度均在其临界胶束浓度值附近.

关键词: 纳米流体 , 表面活性剂 , 粘度 , 吸附

刷镀工艺参数对镍镀层显微组织与耐磨性能的影响

徐婷 , 谭业发 , 李华兵 , 谭华 , 蔡滨

机械工程材料

为了提高电刷镀镍层的耐磨性能,系统研究了刷镀工艺参数对镍镀层显微组织和耐磨性能的影响.结果表明:镀笔移动速度、刷镀电压对镍镀层的组织和耐磨性能有着重要影响;镀笔移动速度为10 m·min-1和刷镀电压为12 V时,镀层的组织致密均匀、胞状晶粒团的尺寸较小,晶粒细小,镀层的耐磨性能较高,此时镀层的磨损量为0.002 g;镀笔移动速度过小和刷镀电压过大都会使镀层组织恶化,磨损量增加.

关键词: 刷镀 , 镍镀层 , 工艺参数 , 显微组织 , 磨损

量子级联激光器的电路模型分析

吴文光 , 范广涵 , 陈贵楚 , 李华兵 , 陈练辉

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.024

通过分析量子级联激光器(QCL)中的电子在量子阱输运的单极行为,得到它的速率方程,以此为基础建立起它的等效电路模型,利用PSPICE进行电路模拟,得到了它的频率响应特性,并对可能影响它的调制特性的一些因素进行了分析.

关键词: 激光技术 , 量子级联激光器 , 电路模型 , 频率响应

Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子

李华兵 , 范广涵 , 陈练辉 , 吴文光 , 熊予莹 , 刘颂豪

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.026

在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系.模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化.最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好.

关键词: 光电子学 , Ⅲ-Ⅴ族混晶 , MREI , 光学声子 , 近邻力常数

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