薛玉明
,
孙云
,
李凤岩
,
朴英美
,
刘维一
,
周志强
,
李长健
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.033
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0～0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.
关键词:
异质结
,
能带边失调值
,
CIGS
,
OVC
,
太阳电池
李伟
,
孙云
,
刘伟
,
李凤岩
,
周琳
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.030
采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制CIGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使CIGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的CIGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4%.
关键词:
镓梯度分布
,
铜铟镓硒太阳电池
,
固态源硒化法
,
量子效率
李微
,
孙云
,
何青
,
刘芳芳
,
李凤岩
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.021
本文以ZnO:Al(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性.采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤.制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点.ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率达到85%以上,非常适合做为铜铟硒(CIS)薄膜太阳电池窗口层.
关键词:
孪生对靶
,
磁控溅射
,
ZnO:Al
