李军利
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刘卫国
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周顺
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蔡长龙
表面技术
为得到具有器件应用价值的非晶硅薄膜,首先采用等离子体增强化学气相沉积系统获得非晶硅薄膜,之后用离子注入设备对该薄膜进行镍离子注入掺杂.用椭偏仪测试薄膜厚度,得知非晶硅薄膜厚度为200nm,且沉积工艺稳定.X射线衍射仪测试表明,所沉积的薄膜属于完全非晶态.用四探针薄膜电阻测试设备测试非晶硅薄膜的方块电阻,结果表明,当掺杂浓度为2.5×1019个/cm3,离子注入能量为35.2 keV时,掺杂后的非晶硅薄膜具有较好电学性质,TCR约为-0.7％,室温下的方块电阻为992 kΩ/□.
关键词:
非晶硅薄膜
,
离子注入
,
电学性质
