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N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展

李万俊 , 孔春阳 , 秦国平 , 阮海波 , 杨天勇 , 梁薇薇 , 孟祥丹 , 赵永红

获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键.目前,国际上公认V族元素中的N替代O位(No)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径.但p-ZnO:N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足.大量的理论和实验研究表明N基二元共掺( N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜.为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状.

关键词: p型ZnO薄膜 , N-X共掺 , 稳定性

C 掺杂浓度对 ZnO 薄膜电学和结构的影响

卞萍 , 孔春阳 , 李万俊 , 秦国平 , 张萍 , 徐庆

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.011

采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同 C 掺杂浓度的 ZnO∶C 薄膜，借助于 X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X 射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了 ZnO 薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了 C 在ZnO 薄膜中存在形式。结果表明，所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的 c 轴择优取向。随着 C 掺杂浓度的增加，薄膜的 n 型导电性能不断增强，其主要原因是ZnO 薄膜中的 C 替代 Zn 位起施主作用。

关键词: C掺杂ZnO , 电学特性 , XPS , Raman

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