李晓冬
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朱红兵
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褚家宝
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黄士勇
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孙卓
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陈奕卫
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黄素梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.011
在低真空(2.3×10-3 Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜.溅射温度200 ℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90 %氧化铟、10 %氧化锡的陶瓷靶.用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构, 用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分.ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80 %～95 %).在低工作气压(1 Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好.在高工作气压(2 Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜.
关键词:
氧化铟锡
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薄膜
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射频磁控溅射
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X射线光电子能谱
