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氩气与氮气流量比对磁控溅射法制备TiN薄膜的影响

刘倩 , 刘莹 , 朱秀榕 , 胡敏

机械工程材料

用直流反应磁控溅射法在Si(100)基底上制备了TiN薄膜,采用X射线衍射仪和原子力显微镜对其结构和形貌进行了表征,利用四探针测试仪测量了TiN薄膜的方块电阻,使用紫外可见分光光度计测定了薄膜反射率;研究了溅射沉积过程中氩气与氮气流量比对TiN薄膜结构及性能的影响.结果表明:在不同氩气与氮气流量比下,所制备薄膜的主要组成相是(200)择优取向的立方相TiN;随着氩气与氮气流量比的增加,薄膜厚度逐渐增大,而表面粗糙度与电阻率先减小后增大;当氩气与氮气流量比为15:1时,薄膜表面粗糙度和电阻率均达到最小值;TiN薄膜的反射率与氩气与氮气流量比的关系不大.

关键词: TiN薄膜 , 磁控溅射 , 氩气 , 氮气 , 流量

磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究

胡敏 , 刘莹 , 赖珍荃 , 刘倩 , 朱秀榕

功能材料

采用反应直流磁控溅射法,在Si基底上制备TiN薄膜.研究了溅射沉积过程中溅射气压和Ar/N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响,并对试验结果进行了分析.研究发现,在Ar/N2气体流量比为15:1时,TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小.当溅射气压增大时,薄膜厚度减小.当溅射气压为0.3~0.5Pa时,薄膜表面较光滑,电阻率较小.

关键词: TiN薄膜 , 磁控溅射 , 氩气/氮气流量比 , 溅射气压 , 电学性能

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