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载气流量对CIS薄膜性能的影响

侯立婷 , 刘迎春 , 方玲 , 胡小萍 , 朱景森 , 李艳萍 , 卢志超 , 周少雄

金属功能材料

采用Cu-In预制层后硫化法制备CuInS2(CIS)薄膜.研究了硫源处载气流量对薄膜形貌、成分及结构等的影响.用扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对薄膜形貌、成分、结构进行了表征,并用扩散生长模型加以解释.结果表明,具有CuIn和CuIn2混合相的Cu-In预制膜,在不同的载气流量下,硫化后所制备的薄膜均具有CIS/CuxIny/Cu结构.检测结果支持铜、铟离子穿过先期生成的CIS膜向外扩散,在表面处与硫反应生成CIS的生长模型.

关键词: 硫化 , 氮气载流量 , CuInS2薄膜 , 太阳能电池

氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响

侯立婷 , 刘迎春 , 方玲 , 胡小萍 , 朱景森 , 阎有花 , 李艳萍 , 卢志超 , 周少雄

金属功能材料

采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响.用扫描电镜(SEM)和能量色散谱仪(EDS)研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱(AES)对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量.结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄膜的成分和CIS太阳能电池的性能.

关键词: 硫化 , CuInS2薄膜 , , 太阳电池

氩气压力对中频磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响

张承庆 , 胡小萍 , 朱景森 , 方玲 , 李德仁 , 卢志超 , 周少雄

金属功能材料

在普通玻璃衬底上利用掺杂2%(质量)Al2O3的ZnO陶瓷靶材在中频磁控溅射设备中制备了掺铝氧化锌(ZnO∶Al,AZO)薄膜.利用XRD、XPS、紫外可见分光光度计和Hall测试系统研究了Ar气压力(0.73~2.0 Pa)对AZO透明导电薄膜结构、光学和电学性能的影响.随着Ar气压力的增大,电阻率呈先减小后增大的趋势,在0.83 Pa时,AZO薄膜的电阻率为6.91×10-4 Ω·cm,在波长400~800 nm间的平均透过率超过86%.研究结果表明,Ar气压力对于AZO薄膜的导电性是一个敏感的参数,Ar气压力影响在薄膜沉积过程中氧空位的形成和分布,从而影响薄膜的导电性.

关键词: Ar气压力 , 中频磁控溅射 , AZO薄膜 , XPS

退火热处理对扁平状Fe-Si-Al磁粉电磁性能的影响

张伟 , 刘天成 , 朱景森 , 李德仁 , 卢志超

金属功能材料 doi:10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016002

采用搅拌球磨工艺对Fe-Si-Al粉末进行了扁平化处理,然后在不同温度及不同保温时间下对其进行了退火处理,借助激光粒度、SEM和XRD,研究了扁平化工艺和热处理工艺对Fe-Si-Al粉末粒度、形貌和物相组成的影响.借助阻抗分析仪,考察了以所制合金粉末为吸收剂制成的吸波材料在1 MHz~100 MHz频率范围内的电磁参数.结果表明:经扁平化和退火处理后,Fe-Si-Al吸波材料的复磁导率得到了显著提高,由经扁平化并经600℃退火2h的Fe-Si-Al粉末制成的吸波材料在1 MHz~100 MHz的低频段具有更加优异的电磁性能,起始磁导率实部达到64.

关键词: Fe-Si-Al磁粉 , 扁平化处理 , 退火热处理 , 复磁导率 , 吸波片

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