廖国进
,
巴德纯
,
闻立时
,
朱振华
,
刘斯明
稀有金属材料与工程
用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.XPS监测显示,薄膜中有Ce3+生成.这些薄膜的光致发光峰是在374 nm附近,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度,但发光峰位置不随掺杂浓度而变化.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.
关键词:
光致发光
,
Al2O3
,
薄膜
,
磁控溅射
,
稀土元素
肖虎
,
孟宪权
,
朱振华
,
金鹏
,
刘峰奇
,
王占国
人工晶体学报
利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210 keV,150 keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140 keV,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016 cm-2,6.2×1016 cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火.
关键词:
二次退火
,
量子点
,
离子注入
廖国进
,
骆红
,
闫绍峰
,
朱振华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.006
应用中频反应磁控溅射设备制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.在溅射时靶电压随氧气分压比的增加而减小,而当氧分压比增大时靶电压沿另一条路径变化,即呈现迟滞回线现象.通过控制氧分压比改变Al2O3:Ce3+薄膜的发光性质.经光致发光检测,薄膜的光致发光谱是在374nm附近的非对称波峰,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.当氧分压比增加时薄膜的发光强度增加,在氧分压比为15%是发光强度最大,其后随氧分压比增大发光强度有减小趋势.薄膜的厚度随氧分压比的增加而呈减小的趋势.X射线衍射(XRD)检测表明所制备透明薄膜为非晶态.扫描电镜检测(SEM)显示,随着氧分压的增加非晶薄膜表面趋于致密平滑.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.
关键词:
光致发光
,
Al2O3
,
薄膜
,
磁控溅射
,
稀土元素
沙明杰
,
朱振华
,
苏显云
,
雷明凯
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.06.015
以柠檬酸为络合剂、钛酸丁酯为前驱体,制备了Er3+掺杂浓度(摩尔分数)为0.1%-5.0%的(Er,Y)2Ti2O7(EYTO)粉末.在700℃烧结EYTO粉末中EYTO相的晶化不完全,随着烧结温度的升高晶化程度显著提高,-OH基团的含量逐渐减少;在1000℃烧结,得到结晶完全且不含-OH基团的EYTO相.不完全晶化的EYTO相的PL谱为半高宽112 nm的单一宽峰,结晶完全的EYTO相其PL谱为发生Stark分裂的分立发光峰.随着烧结温度的升高EYTO粉末的PL强度和荧光寿命连续提高,归因于粉末中-OH基团的逐步脱除和EYTO相晶化程度的提高;Er3+浓度在0.1%-1.5%区间均呈现上升趋势,源于EYTO相为Er3+提供了均匀分散;Er3+浓度为1.5%时均达到最大值、荧光寿命为20.9 ms.当Er3+浓度超过1.5%时,Er3+-Er3+间的交互作用增强导致1.53μm的PL强度和荧光寿命持续下降.
关键词:
无机非金属材料
,
(Er,Y)2Ti2O7
,
sol-gel法
,
光致发光
,
柠檬酸络合
