周晟
,
李毅
,
朱慧群
,
孙若曦
,
张宇明
,
黄毅泽
,
李榴
,
沈雨剪
,
郑秋心
,
佟国香
,
方宝英
稀有金属材料与工程
为解决VO2薄膜相变温度过高,热滞回线温宽过大以及掺杂后红外透过率变低等问题,开展了低成本钨钒共溅热致变色薄膜制备工艺的探索.先在室温条件下采用磁控共溅射的方法于玻璃基片上制备得到含钨量为1.4％的金属薄膜,再在空气中采用后退火工艺使金属薄膜充分氧化为热致变色薄膜.对薄膜样品的物理结构和光学性能进行了分析,发现钨钒共溅没有改变VO2薄膜在玻璃表面择优取向生长,但显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征.观察到钨钒共溅热致变色薄膜的相变温度较普通VO2薄膜从68℃降低至40℃,热滞回线温宽由6℃缩小为3℃,低温半导体相的红外透过率分别为62％和57％.结果表明,钨钒共溅可达到相变温度降低,热滞回线温宽变窄,掺杂前后红外透过率变化不大之目的.
关键词:
热致变色
,
共溅射
,
VO2薄膜
,
相变
丁瑞钦
,
陈毅湛
,
朱慧群
,
黎扬钢
,
丁晓贵
,
杨柳
,
黄鑫钿
,
齐德备
,
谭军
人工晶体学报
本文报道溅射工艺、退火工艺和冷却方式对磷扩散法制备的P型ZnO薄膜的微观结构和电学特性的影响的实验研究.研究结果表明,ZnO薄膜的表面形貌、结晶度、内应力以及电学特性均与制备工艺条件有密切的关系.文章对这些关系的机理做了探讨和分析.
关键词:
ZnO薄膜
,
工艺条件
,
微观结构
,
电学特性
丁瑞钦
,
朱慧群
,
曾庆光
,
林民生
,
冯文胜
,
梁毅斌
,
梁满堂
,
梁达荣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.031
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜.X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜.电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018 /cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成.
关键词:
磷扩散
,
p型ZnO薄膜
,
磁控溅射
,
异质ZnO p-n结
李毅
,
王海方
,
俞晓静
,
黄毅泽
,
张虎
,
张伟
,
朱慧群
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.12.020
基于半导体和金属间的相变特性,伴随着温度、电场、压力的变化,具有相关智能特性的VO_2薄膜材料具有较大的应用潜力.本文主要阐述脉冲激光沉积技术在制备金属氧化物方面的物理过程和技术特点,详细介绍脉冲激光沉积制备VO_2薄膜材料的工艺参数和国内外研究进展,并与几种常规制备方法进行对比,给出脉冲激光沉积掺杂对VO_2薄膜材料特性的影响,以及采用脉冲激光沉积制备VO_2纳米材料,讨论了脉冲激光沉积制备具有智能特性的VO_2薄膜材料存在的问题和发展方向.
关键词:
脉冲激光沉积
,
VO_2
,
薄膜
,
制备
,
掺杂
赵丽特
,
范东华
,
朱慧群
,
罗坚义
,
王忆
,
龙拥兵
,
文铨
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.12.009
薄膜的表面形貌与生长机理相关，因此可以通过研究薄膜表面形貌的演变来外推其生长机理。利用热蒸发法在硅片上制备了纳米多孔二氧化硅薄膜，利用扫描电镜(SEM)和 X 射线能谱(EDS)对不同样品的形貌、成分进行了表征。研究发现所制备的薄膜是由线状结构或直立的片状结构所构成的多孔结构。利用马拉高尼效应和润湿理论，对薄膜的气-液-固生长机理和氧化物辅助生长机理进行了探讨。
关键词:
薄膜
,
多孔氧化硅
,
纳米线
,
纳米片
,
生长机理
朱慧群
,
丁瑞钦
,
姚若河
,
吴桐庆
材料导报
采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响.在衬底温度为200℃、高纯氩氧比例为3:1、压强为1.5Pa的条件下,在经离子束表面氮化预处理的Si衬底上溅射沉积的ZnO薄膜,经450℃真空退火,成为高(0002)晶面取向的ZnO薄膜,并具有良好的光学性质.
关键词:
射频磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
离子束轰击
,
衬底表面氮化
丁瑞钦
,
曾庆光
,
陈毅湛
,
朱慧群
,
丁晓贵
,
齐德备
人工晶体学报
在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺.结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时,所制备的ZnO薄膜为p型,而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的;另外,这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小,而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1,比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关.
关键词:
p型ZnO薄膜
,
磷扩散法
,
磁控溅射工艺
朱慧群
,
李毅
,
丁瑞钦
,
王忆
,
黄洁芳
,
张锐华
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结.对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、Ⅰ-Ⅴ特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试.结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982 × 1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V·s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性.
关键词:
磁控溅射
,
p型ZnO薄膜
,
磷掺杂
,
异质结
朱慧群
,
陈飞
,
王启汶
,
杜尚昆
,
李竻康
稀有金属材料与工程
采用共溅射氧化法,在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉积钒钼金属薄膜,再在大气环境下经热氧化处理获得掺钼VO2薄膜.通过XRD、SEM、热致相变电学特性等分析,研究制备工艺及掺杂改性对掺钼VO2薄膜的微结构、形貌、热滞回线和相变温度的影响.实验与分析结果表明,与相同厚度的纯VO2薄膜相比,钼掺杂显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征,掺钼VO2薄膜呈多晶态且沿VO2(002)择优取向生长,结晶性和取向性明显提高,薄膜的相变温度降低至38℃,热滞回线宽度收窄约至8℃.低温共溅射氧化法制备的掺钼VO2薄膜的热阻效应明显,薄膜的金属-半导体相变特性良好.
关键词:
VO2薄膜
,
共溅射
,
钼掺杂
,
相变
