万宗跃
,
张利
,
印仁和
,
徐群杰
,
陈
,
浩
,
朱律均
,
周国定
金属学报
3-氨基-1,2,4-三氮唑(ATA)是一种环境友好型金属处理剂,以其在Cu-Ni合金表面制备了自组装单分子膜(SAMs)，用电化学方法研究ATA SAMs对Cu-Ni合金的缓蚀作用及其吸附行为.结果表明，ATA分子易在Cu-Ni合金表面形成稳定的ATA SAMs,抑制了Cu-Ni合金的阳极氧化过程,改变了电极表面双电层结构，使零电荷电位负移,固/液界面双电层电容明显降低,有良好的缓蚀效果,这与交流阻抗和极化曲线得到的结论一致.同时研究表明ATA的吸附行为符合Langmuir吸附等温式,吸附机理是典型的化学吸附.
关键词:
Cu-Ni合金
,
ATA
,
The SAMs
,
Anticorrosion
,
Adsorption
曹为民
,
陈浩
,
石新红
,
朱律均
,
姬学彬
,
张磊
,
印仁和
金属学报
以单晶Si(111)为基底, 采用双槽法电结晶制备了Co/Pd纳米多层膜, 使用电化学石英晶体微天平(EQCM)精确测定沉积过程中Co和Pd膜的质量随沉积时间的变化．通过电位阶跃法探讨了沉积层晶体成核机理, 得到Co和Pd电结晶初期均为三维瞬时成核过程．X射线衍射(XRD)研究表明, Co和Pd的结晶与生长显示择优取向, 出现了111Co-Pd的合金峰. 并用物性测量系统(PPMS)测试了Co/Pd多层膜的磁性能, 所得磁滞回线表明: 矫顽力随着多层膜磁性层厚度的减小而增大,可达到9.0104 A/m
关键词:
电结晶
,
null
,
null
万宗跃
,
张利
,
印仁和
,
徐群杰
,
陈浩
,
朱律均
,
周国定
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.02.015
利用3-氨基-1,2,4-三氮唑(ATA)金属处理剂在Cu-Ni合金表面制备了自组装单分子膜(SAMs),用电化学方法研究ATA SAMs对Cu-Ni合金的缓蚀作用及其吸附行为.结果表明, ATA分子易在Cu-Ni合金表面形成稳定的ATA SAMs,抑制了Cu-Ni合金的阳极氧化过程,改变了电极表面双电层结构,使零电荷电位正移,固/液界面双电层电容明显降低,有良好的缓蚀效果,这与交流阻抗和极化曲线得到的结论一致.同时研究表明ATA的吸附行为符合Langmuir吸附等温式,吸附机理是典型的化学吸附.
关键词:
Cu-Ni合金
,
3-氨基-1
,
2
,
4-三氮唑
,
自组装单分子膜
,
缓蚀
,
吸附
曹为民
,
陈浩
,
石新红
,
朱律均
,
姬学彬
,
张磊
,
印仁和
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.04.012
以单晶Si(111)为基底,采用双槽法电结晶制备了Co/Pd纳米多层膜,使用电化学石英晶体微天平(EQCM)精确测定沉积过程中Co和Pd膜的质量随沉积时间的变化.通过电位阶跃法探讨了沉积层晶体成核机理,得到Co和Pd电结晶初期均为三维瞬时成核过程. X射线衍射(XRD)研究表明,Co和Pd的结晶与生长显示择优取向,出现了111Co-Pd的合金峰.并用物性测量系统(PPMS)测试了Co/Pd多层膜的磁性能,所得磁滞回线表明:矫顽力随着多层膜磁性层厚度的减小而增大,可达到9.0×104 A/m.
关键词:
电结晶
,
Co/Pd纳米多层膜
,
X射线衍射
,
电化学石英晶体微天平
,
磁滞回线
徐群杰
,
朱律均
,
齐航
,
曹为民
,
周国定
金属学报
用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸--硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用. Cu在硼酸--硼砂缓冲溶液中, 表面的Cu2O膜为p型半导体. 当Cu所在的溶液中存在少量NaCl (小于0.5 g/L)时, Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但不会改变半导体性质; 当溶液中存在较多NaCl (0.5-15 g/L)时, Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀, Cl-掺杂使Cu2O膜部分转成n型; 当溶液中存在大量NaCl (大于15 g/L)时, Cu$_{2}$O膜完全被Cl-掺杂而转型成n型. 缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用：当NaCl浓度为2 g/L时, PASP与溶液中的Cl-在Cu表面竞争吸附, 明显抑制了Cl-对Cu2O膜的掺杂, Cu2O受到了保护仍为p型; 在NaCl浓度为30 g/L时, PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-对Cu2O膜的掺杂, Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转成n型, 但n型性质变弱. 对Cu2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.
关键词:
Cu
,
Photoelectrochemistry
,
Corrosion
,
Inhibitor
,
PASP
曹为民
,
石新红
,
印仁和
,
朱律均
,
胡滢
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.019
在硼酸镀液体系中采用流动槽滴入法电结晶制得Cu/Co纳米多层膜,通过循环伏安法确定Cu、Co电结晶电位,分别为-0.55V和-1.05V(vs.SCE),通过X射线衍射技术(XRD)和X射线荧光光谱法(XRF)对Cu/Co纳米多层膜的结构、成份进行了分析.并用物性测量系统PPMS测试了Cu/Co多层膜的磁性能,结果表明:电结晶制备的Cu/Co多层膜的矫顽力比较小,仅为34 Oe,适合作巨磁阻磁头材料,其磁电阻随磁场强度的增大而减小,且约在3000 Oe时磁电阻趋于饱和,此时的巨磁阻效应GMR值达到了14%.
关键词:
电结晶
,
流动槽滴入法
,
Cu/Co纳米多层膜
,
X射线衍射
,
GMR
印仁和
,
万宗跃
,
徐群杰
,
曹为民
,
朱律均
功能材料
用一种环境友好型金属处理剂植酸在白铜B30表面制备了自组装单分子膜(SAMs),研究了该膜在3%NaCl中对白铜B30的缓蚀作用.通过交流阻抗法和极化曲线法的研究表明,在酸性和碱性环境中,植酸SAMs对白铜B30均有良好的缓蚀效果,其对白铜B30的缓蚀效果在酸性环境中要优于碱性环境;且组装时间6h效果最好,缓蚀率为84.87%,同时分析表明其缓蚀机理为化学吸附过程.
关键词:
植酸
,
自组装膜
,
白铜
,
交流阻抗
,
极化曲线
徐群杰
,
朱律均
,
齐航
,
曹为民
,
周国定
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.11.014
用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu2O膜为P型半导体.当Cu所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)时,Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但小会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl(0.5-15 g/L)时,Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀,Cl-掺杂使Cu2O膜部分转成n型;当溶液中存在大量NaCl(大于15 g/L)时,Cu2O膜完全被Cl-掺杂而转型成n型.缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用;当NaCl浓度为2 g/L时,PASP与溶液中的Cl-在Cu表面竞争吸附,明显抑制了Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O受到了保护仍为P型;在NaCl浓度为30 g/L时,PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转成n型,但n型性质变弱.对Cu2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.
关键词:
Cu
,
光电化学
,
腐蚀
,
缓蚀剂
,
聚天冬氨酸
