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针尖状SiC纳米线的合成与机理分析

朱奇妙 , 陈建军 , 吴仁兵 , 李宝生 , 潘颐

材料科学与工程学报

采用热蒸发硅的方法,于1650℃反应不同的时间,在聚丙烯腈(PAN)碳纤维上原位生长碳化硅纳米线.通过X射线衍射,场发射扫描电镜及透射电子显微镜分析和观察,发现制得的产物为β-SiC单晶纳米线,具有明显的针尖状头部,且呈放射状生长在碳纤维上,形成试管刷状阵列.基于在反应不同阶段所得到产物的不同形貌,结合对制备条件和制备原料的分析,提出不同于传统VLS机理的VL'S机理.

关键词: 碳化硅 , 纳米线 , 针尖状 , VLS生长机理

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