李现祥
,
董捷
,
胡小波
,
李娟
,
姜守振
,
王丽
,
陈秀芳
,
徐现刚
,
王继扬
,
蒋民华
,
田玉莲
,
黄万霞
,
朱佩平
功能材料
采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构.基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成像位置,并与实际结果进行了比较.鉴别出6H和4H-SiC单晶中分别存在着少量的4H-SiC和15R-SiC多型的寄生生长.
关键词:
多型夹杂
,
同步辐射白光形貌术
,
SiC单晶
胡小波
,
徐现刚
,
李现祥
,
董捷
,
韩荣江
,
王丽
,
李娟
,
王继扬
,
田玉莲
,
黄万霞
,
朱佩平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.012
采用同步辐射单色光形貌术观察了6H-SiC单晶中的微管缺陷,发现晶片中Burgers矢量为1c的螺位错具有较高的密度.此外,还观察到对应较大Burgers矢量的微管.基于微管附近的应变场,并根据衍射几何,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径,计算结果与实验观察符合较好.
关键词:
同步辐射单色光形貌术
,
6H-SiC单晶
,
微管
,
模拟计算
孙敦陆
,
张庆礼
,
肖敬忠
,
朱佩平
,
黄万霞
,
袁清习
,
王爱华
,
殷绍唐
功能材料
应用同步辐射X射线白光形貌术,对Nd:GGG晶体中的缺陷进行了研究,观察到晶体中的主要缺陷是生长条纹和位错,对生长条纹产生的机理和位错的类型进行了分析讨论,生长条纹是由于温度波动引起生长率的起伏产生的,确定晶体中的位错有刃型位错、螺旋位错和混合位错.根据生长条纹和位错的生成机制,提出了一些改进生长工艺的措施和方法,为生长质量更高的晶体提供了参考.
关键词:
Nd:GGG晶体
,
同步辐射
,
生长条纹
,
位错
汪敏
,
胡小方
,
蒋锐
,
伍小平
,
朱佩平
,
黄万霞
,
袁清习
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.02.001
借助同步辐射硬X射线高强度、高能量、高准直、宽频谱以及可选能量等特点,对材料试件进行投影成像,并应用滤波反投影重建算法实现三维图像重建(Synchrotron X-Ray Computed Tomography).研究了闭孔泡沫铝在压缩过程中内部微结构的演化,得到了不同压缩状态下内部微结构图像,分析了闭孔泡沫铝在压缩过程中的变形及孔隙率变化.这些研究结果为泡沫铝制备工艺的改进和材料与结构的优化设计提供了有益的参考,并为泡沫铝压缩破坏机理的构建提供科学依据.
关键词:
SXR-CT技术
,
闭孔泡沫铝
,
孔隙率
,
微结构演化
马丽丽
,
胡小波
,
张怀金
,
王继扬
,
赵守仁
,
田玉莲
,
朱佩平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.010
采用提拉法生长的Nd:LuVO4晶体是一种适合二极管泵浦的新型激光晶体,运用化学腐蚀结合光学显微术和同步辐射白光X射线形貌术对Nd:LuVO4晶体缺陷进行观察,结果表明:晶体的主要缺陷为位错和小角晶界.利用高分辨X射线衍射仪进一步验证了这一结果.并初步讨论了缺陷形成的原因.
关键词:
Nd:LuVO4晶体
,
缺陷
,
同步辐射白光X射线形貌术
,
小角晶界
肖敬忠
,
殷绍唐
,
田玉莲
,
朱佩平
,
张新夷
功能材料
应用环境扫描电子显微术(ESEM)、原子力扫描显微术(AFM)、同步辐射白光形貌术(SRWBT)等形貌成像技术研究了0.92PZN-0.08PT晶体的表面缺陷形态与铁电畴结构.通过对畴结构动态演化的同步辐射形貌观察,可揭示出该晶体的结构相变过程.
关键词:
弛豫型铁电晶体
,
缺陷
,
畴结构
李红军
,
苏良碧
,
徐军
,
袁清习
,
朱佩平
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00663
采用同步幅射白光形貌及光学显微形貌等手段研究了Ce:YAP晶体中存在的孪晶缺陷. 对孪晶的性质进行了表征, 结果表明, 它们为{101}和{121}孪晶. 经分析, 我们认为相邻且相近的晶格参数互换是孪晶形成的内在因素, 并据此建立了孪晶结构模型; 另外, 晶体生长过程中放肩阶段生长速率的突变则是导致孪晶形成的主要的外部因素.
关键词:
Ce:YAP晶体
,
twin defect
,
white-beam synchrotron radiation topography
,
crystal growth
李红军
,
苏良碧
,
徐军
,
袁清习
,
朱佩平
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.04.018
采用同步幅射白光形貌及光学显微形貌等手段研究了Ce:YAP晶体中存在的孪晶缺陷.对孪晶的性质进行了表征,结果表明,它们为{101}和{121}孪晶.经分析,我们认为相邻且相近的晶格参数互换是孪晶形成的内在因素,并据此建立了孪晶结构模型;另外,晶体生长过程中放肩阶段生长速率的突变则是导致孪晶形成的主要的外部因素.
关键词:
Ce:YAP晶体
,
孪晶缺陷
,
同步辐射白光形貌
,
晶体生长
