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用于4H-SiC雪崩光电探测器p型欧姆接触的研究

朱会丽 , 陈厦平 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.016

对4H-SiC雪崩光电探测器的Ti/Al/Au p型欧姆接触进行了详细的研究.通过线性传输线模型(LTLM)测得经930℃退火后欧姆接触的最小比接触电阻为5.4×10-4Ωcm2.分别用扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射谱(XRD)对退火前后的表面形貌、金属之间以及金-半接触界面之间相互反应及扩散情况进行测试与分析,发现了影响欧姆接触性能的主要原因.对采用此欧姆接触制备的4H-SiC雪崩光电探测器进行测试,发现器件的击穿电压约为-55 V,此时其p型电极处的电压降仅为0.82 mV,可以满足4H-SiC雪崩光电探测器在高压下工作的需要.

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , p型欧姆接触 , X射线光电子能谱 , 雪崩光电探测器

4H-SiC表面热氧化生长SiOx薄膜特性的研究

陈厦平 , 朱会丽 , 蔡加法

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.016

采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiOx)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiOx薄膜和SiOx/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其相应的结合能,以及分析SiOx层中各主要元素随不同深度的组分变化情况,从而获得该热氧化SiOx薄膜的化学组成和化学态结构,并更好地了解其构成情况以及SiOx/4H-SiC的界面性质.

关键词: 材料 , SiOx薄膜 , 热氧化 , X射线光电子能谱 , 4H-SiC

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