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屏栅电离室+△E-E望远镜探测器系统

王涛峰 , 朱丽萍 , 孟庆华 , 王黎明 , 韩洪银 , 夏海鸿 , 黎光武 , 屈从会 , 顾先宝

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2007.03.008

研制了屏栅电离室+△E-E望远镜探测器系统,系统的屏栅电离室用来测定252Cf自发裂变碎片的能量和相对于探测器系统轴线的发射角,与屏栅电离室耦合安装的△E-E望远镜探测器由一个薄的屏栅电离室(气体△E)和一个金硅面垒探测器(E)组成,用来确定互补碎片的电荷.用本系统对252Cf自发裂变碎片电荷分布进行了4个参数的关联测量,结果表明,这个探测器系统的电荷分辨能力Z/△Z好于40:1.

关键词: 屏栅电离室 , △E-E望远镜 , 电荷分辨能力

氧化锌微米棒的微观生长过程

王维维 , 朱丽萍 , 叶志镇 , 王敬蕊 , 杨叶锋 , 何海平 , 赵炳辉

材料科学与工程学报

利用物理热蒸发方法在光滑的(111)硅衬底上生长氧化锌微米棒,生长温度为700℃.在硅衬底的不同区域由于生长环境不同,生成物的形貌也不相同.利用扫描电镜图可以很直观地推测出一个完整的氧化锌微米棒生长过程.透射电镜图片显示了纳米棒与微米棒之间完美的外延关系.

关键词: 晶体外貌 , 外延生长 , 物理热蒸发 , 自组装

ZnO薄膜p型转变的难点及解决新方法

曾昱嘉 , 叶志镇 , 袁国栋 , 黄靖云 , 赵炳辉 , 朱丽萍

材料导报

论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al+N+H共掺杂生长p-ZnO薄膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性能.

关键词: p-ZnO H钝化共掺缓冲层

Li-N-H共掺法制备 p型 ZnO薄膜

卢洋藩 , 叶志镇 , 曾昱嘉 , 陈兰兰 , 朱丽萍 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01511

采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜. XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度cll轴取向, Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm, Hall迁移率为0.5cm²/(V·s), 空穴浓度为4.92×10¹⁷/cm³. 此外, p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.

关键词: p-ZnO , magnetron sputtering , codoping

氧分压对直流磁控溅射制备 ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

马全宝 , 叶志镇 , 何海平 , 朱丽萍 , 张银珠 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01113

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜, 研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响. X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构. ZnO:Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小, 随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小, 在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小, 晶粒尺寸最大. 薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大, 沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^-4Ω·cm. 此外, 所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.

关键词: ZnO:Ga , transparent conductive oxide film , magnetron sputtering , oxygen partial pressure , electrical and optical properties

应用于无线电发射领域的第二代SiGe技术进展

孙伟峰 , 叶志镇 , 赵炳辉 , 朱丽萍

材料导报

SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造GSM、DCS、GPS中的LNA、PA、DACs和混频器等.为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如Atmel Wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代Si/SiGe双极技术(SiGe2).这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率fT和最大震荡频率fmax达到90GHz以上[1];5GHz和20GHz的最大稳定增益(MSG)分别为22dB和11dB.SiGe 2技术能制造出应用更加广泛的各种器件,而0.5μm CMOS技术还处于发展阶段.

关键词: SiGe , 双极 , CMOS , 射频 , MSG

NO和N₂O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响

周婷 , 叶志镇 , 赵炳辉 , 徐伟中 , 朱丽萍

无机材料学报

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N₂O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N₂O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm, 同时样品的空穴浓度最高,为2.17×10¹⁸cm^-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个月后仍为p型,但电阻率增大.

关键词: P型ZnO , electronic properties , MOCVD

n-Cu2O/p-Cu2O纳米棒复合结构的制备与光电化学性能

周梦萦 , 朱丽萍

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.004

采用热分解和电化学沉积相结合的方法,在p-Cu2O纳米棒上沉积n-Cu2O,制备了n-Cu2 O/p-Cu2O纳米棒复合结构.通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜分析(SEM)和Mott-Schottky(MS)测试研究了样品的结构、形貌以及导电类型,使用光电流密度测试考察了样品的光电化学性能,并根据电化学阻抗测试(EIS)进行了机理分析.结果表明:沉积n-Cu2O之后样品的载流子分离-转移能力大幅提升,因此n-Cu2 O/p-Cu2O纳米棒复合结构表现出良好的光电化学性能.

关键词: Cu2O , 纳米棒 , 电沉积 , 光电化学性能

控制O₂流量生长结状 ZnO微纳米棒及其特性研究

李介胜 , 朱丽萍 , 唐海平 , 何海平 , 叶志镇 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00613

采用热蒸发法以锌粉和二水醋酸锌作为源材料在Si(111)衬底上制备了高密度的ZnO微纳米棒, 制得的每根ZnO棒明显分为直径不同的四段. 利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱和光致发光谱等测试手段对制备的样品进行了形貌、结构和光学性能的分析, 结果表明制备的ZnO棒晶体质量良好, 仅存在很少量的缺陷. 通过讨论该结构的生长机理, 发现O₂分压对制备的ZnO微纳米棒的形貌有显著的影响, 调节O₂流量可控制ZnO纳米结构的形貌.

关键词: 热蒸发 , oxygen partial pressure , knot , micro- and nanorods

N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响

王雪涛 , 朱丽萍 , 叶志高 , 叶志镇 , 赵炳辉

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00711

采用脉冲激光沉积(PLD)法通过电离活化方式在石英和Si(100)衬底上制备了Co-N共掺ZnO薄膜, 研究了N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响. 实验观察到700℃、N2O压强为15Pa时生长的Co-N共掺ZnO薄膜显示室温磁滞回线. 采用XRD、SEM、XPS、霍尔测试和SQUID等手段对样品进行了测试, 结果表明, 所得薄膜样品具有高度的c轴择优取向, XRD图谱中并没有发现Co、N的相关分相, Co、N原子分别以替代位形式CoZn、NO存在于薄膜中. 霍尔测试和SQUID测试表明, Co-N共掺ZnO薄膜呈p型, 具有室温磁滞效应. 与Co掺杂ZnO薄膜相比, 载流子浓度降低, 同时, 饱和磁化强度和矫顽力有很大提高, 可见, N的掺入改变了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的导电类型, 并增强了磁性.

关键词: PLD , Co-N co-doping , ZnO thin films

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